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公开(公告)号：CN114242866B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN116995149A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310749068.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法，通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层，并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化，形成较低的接触势垒，在完成N型欧姆接触后再进行P型金属层和其它芯片工艺的制作，这样可以避免N型欧姆接触层高温退火对深紫外垂直LED芯片其它流程产生负面影响，进而提升深紫外垂直结构LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN116435432A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310317682.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
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公开(公告)号：CN116344724A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310195073.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，本发明提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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公开(公告)号：CN115548182A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211213055.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，实现了多个垂直结构发光单元的并联，可分流LED芯片的总电流，以降低LED芯片的整体电压；同时，将LED芯片刻蚀形成多个发光阵列，有效增大了侧面的出光面积，尤其对短波长的紫外LED芯片，更多TM模出光，具有明显的出光效果。此外，第一电极连通层设置于各所述分割道的底面且相互连通，并在靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区，从而使得第一电极不额外占据发光面积，同时通过第一电极连通层极大提升的电流扩展均匀性，保证LED发光的均匀性，进一步降低LED芯片的工作电压，提升电光转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113363370A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110613538.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层的侧壁涂覆有遮挡层，用于遮挡LED芯片的侧向溢出光；在所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面涂覆有荧光粉；在利用垂直结构LED芯片的出光形貌呈近朗伯分布的优势的同时，通过荧光粉和遮挡层的涂覆可明显提升LED芯片出光的均匀性。
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公开(公告)号：CN111969087A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010881721.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极层形成电接触；所述第二电极与所述金属电极层形成电接触。即，本申请在所述外延叠层的两个对立表面均可以较好地实现电流的均匀扩展，且使通过第一型半导体层和第二型半导体层注入到有源区的电流为垂直注入，类似垂直结构LED芯片，可以有效改善LED芯片的电流阻塞效应；此外，本申请所提供的LED芯片的结构具备很好的兼容性，可实现透明衬底在不同色系LED芯片的应用。
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公开(公告)号：CN119050234A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411318844.0
申请日：2024-09-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，在介质膜层背离外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且粘附结构同时还与金属反射层及欧姆接触层形成连接，图形化的粘附结构可在不影响出光效果的同时能提高介质膜层、金属反射层及欧姆接触层三者之间的粘附效果,避免因金属反射镜与介质膜层之间的粘附性差造成外延脱落的问题，可用来提高芯片的可靠性和稳定性，进而提高LED芯片良率，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN118472133A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410201658.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将第一发光外延至第N发光外延沿第一方向上叠层设置，由此使得高压LED芯片的整体面积与单个发光外延的面积的差异相差较小，进而在将所有发光外延串联电连接而实现高压LED芯片的功能基础上，有效减小了高压LED芯片的面积，利于高压LED芯片的集成封装。同时，本发明提供的第一发光外延至第N发光外延可以进行相同发光颜色的设计，以实现高压LED芯片的发光强度的提升。或者第一发光外延至第N发光外延还可以设计为至少一个发光颜色与其他不同以实现混光，从而实现更加丰富的出光效果。
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公开(公告)号：CN118033979A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410357080.X
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制造方法，本发明的复合膜层通过在光刻胶层内部或者至少一侧表面设置图形化的波长转换部，用第一光源照射波长转换部后，波长转换部激发形成比第一光源波长更短的第二光源对光刻胶层进行图案化曝光，不仅在曝光光刻胶层时可以免去掩模版的使用，而且波长转换部吸收第一光源激发出波长更短的第二光源曝光光刻胶层，能够提高光刻精度。光刻方法及系统采用上述的复合膜层实现光刻胶层的图案化。LED芯片及其制造方法采用上述光刻系统实现光刻胶层的图案化。
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