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公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN102367165B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110253613.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
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公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102367165A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110253613.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN119178548A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411318888.3
申请日：2024-09-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS差压传感器芯片结构及制备方法，它包括衬底，在衬底上设有硅片，在硅片上设有压力空腔、一组隔离槽和一组压敏电阻，在硅片上还设有一组与压敏电阻对应配合的金属引线。通过在硅片上光刻、硼注入、去胶和硼扩散工艺制备压敏电阻而后通过光刻、深硅刻蚀、RIE和去胶工艺形成压力空腔和隔离槽，而后在硅片上键合衬底。本发明提供的芯片结构制备方便，结构简单，通过在敏感膜片的外周设置一组隔离槽，可消除非敏感方向的静压对差压传感器测量误差漂移的影响。
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公开(公告)号：CN117285001A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311560694.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光MEMS器件结构及其制备方法，它包括由下到上依次叠设键合的衬底结构层、梳齿结构层以及镜面结构层；衬底结构层上设有第一金属键合区，在第一金属键合区内侧设有深腔；梳齿结构层包括与镜面结构层键合连接的第二金属键合区、第三金属键合区，以及梳齿结构和与梳齿结构连接的金属焊点，在梳齿结构表面设有压敏电阻结构；镜面结构层包括镜面框和位于镜面框内侧的镜面结构，镜面框通过第二金属键合区与梳齿结构层连接，镜面结构下端面连接支撑柱，支撑柱通过第三金属键合区与梳齿结构层连接。本发明的顶伞式镜面结构可以提高镜面占空比，缩小芯片面积，并且通过集成制作压敏电阻结构，可以实现微光学镜面的精确驱动控制和角度解算。
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公开(公告)号：CN114132892A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479932.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MOEMS微镜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤取第一SOI硅片（A）在第一SOI硅片（A）上设有槽体（2），在槽体（2）内形成氧化层（3），在第一SOI硅片（A）上键合有第二SOI硅片（B），在第二顶层硅（B1）上形成第二梳齿结构（4），在第二顶层硅（B1）上键合有双抛硅片（C），在取第一SOI硅片（A）上第一梳齿结构（5），除刻蚀保护氧化层（3），在第一顶层硅（A1）上设置有焊盘金属层（7）和镜面金属（8）。本发明步骤简易、制备方便，保证器件性能精度和一致性，可以实现MOEMS微镜的高良率批量生产。
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公开(公告)号：CN112265954A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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