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公开(公告)号：CN107068734A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710059574.X
申请日：2017-01-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层、漏电极和漏端侧电极；隔离介质层，将源电极和栅电极隔开；源电极和漏电极的功函数为根据掺杂类型确定的功函数，以在源区和漏区表面形成导电载流子层。本发明通过调节源电极和漏电极的金属功函数，可以在源区和漏区表面积累相应类型的载流子进行电流输运。该结构不仅可以抑制工艺波动线边缘粗糙对器件性能的影响，并且可以保持无结器件的电流驱动能力，优化无结器件的亚阈值特性，进而提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN102779851B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210232954.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。
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公开(公告)号：CN115085714A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210669957.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Inventor： 林信南
IPC: H03K19/003 , H03K17/16
Abstract: 一种提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法，包括确定SiC MOSFET的驱动信号的理论值，然后根据所述理论值确定SiC MOSFET的栅信号的工作幅值，也就是设置高电位值和低电位值，其中，所述低电位值设置为小于‑5V，根据所述栅信号的工作幅值确定SiC MOSFET的实际驱动信号连接在电路中，从器件的实际的高频应用着手，对器件的驱动信号进行调整和改良，使其在实现基本功能的前提下，增强抗总剂量辐射能力。通过这种施加正负栅压的方式，对辐射感生的载流子的输运进行调控，利用这种调控作用，使得氧化层界面处的缺陷难以俘获辐射产生的正电荷，调控了器件感生载流子产生复合比例，从而减小界面陷阱电荷的产生，达到减小阈值电压的退化，提高SiC MOSFET器件的抗辐照性能的效果。
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公开(公告)号：CN114598657A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210095713.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04L47/20
Abstract: 本发明提供了一种基于二层多路径流控的数据传输方法、系统及介质，该方法包括：在发送设备和接收设备之间存在多条路径时，接收设备通过被选中的可用路径向发送设备报告可用路径上的可接收数据限额；发送设备根据情况选择一条或多条路径，并发送被选中的可用路径上数据限额以内的数据；接收设备收到部分数据后，向发送设备确认已接收数据量，并确认被选中的可用路径上新的可接收数据限额；发送设备收到被选中的可用路径上新的可接收数据限额后，释放这条路径上相应大小的限额，并再次进行路径选择并发送数据，直至所有数据发送完毕。本发明通过控制和协调远程零拷贝任务在多条路径上的传输速率实现了无丢包的数据传输和网络带宽的最大化应用。
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公开(公告)号：CN113169221A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006544.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109950133A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910194844.7
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法。本申请的制备方法包括，在对碳化硅外延片圆片进行光刻机光刻曝光的过程中，将某一次或某几次的曝光图形旋转大于0度、小于360度的角度，根据被旋转的曝光图形所在的位置或旋转的角度，区分识别碳化硅外延片圆片。本申请的制备方法，其制备的碳化硅外延片圆片可通过直观的外观区别，即各次曝光图形旋转情况，直接辨识碳化硅外延片圆片编号；并且，本申请制备的辨识标记不会在后续加工中磨损消失，避免了由于标识不清造成的使用困扰，解决了现有圆片标记磨损的棘手难题。本申请的制备方法简单易操作，不仅可以兼容现有生产线，且不会影响现有生产流程和产品质量，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN109728079A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811473664.4
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种晶体管，其包括GaN外延片、源极、栅极、结栅、漏极、中间层，源极和结栅通过互联区域相互连接。本申请还提供一种晶体管制作方法，其包括如下过程：制备GaN外延片，沉积GaN延伸层和p-GaN层；在GaN外延片上刻蚀出结栅结构；在GaN外延片上刻蚀出栅极窗口，沉积栅介质；在栅极区域沉积金属；制成源极金属电极区、栅极金属电极区、结栅金属电极区和漏极金属电极区；在第一TOES层上刻蚀出互联区域；沉积金属，使得源极金属电极区和结栅金属电极区通过互联区域相互连接。本申请的晶体管制作方法流程简单，可操作性强，所制得的晶体管可防止栅介质过早退化，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN103474459B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310403969.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。
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公开(公告)号：CN102185301B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110132583.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H02H9/00
Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。
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