公开(公告)号：CN109244057B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201810770430.X

申请日：2018-07-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开了一种封装基板及基于该基板形成的共源共栅氮化镓器件，该封装基板包括基板本体，基板本体的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层，器件线路铜层包括第一铜层面和第二铜层面，第一铜层面和第二铜层面之间电气隔离；热排气铜层上设置有若干条延伸到基板边界的间隙。本发明优化了封装基板的结构和器件线路铜层的相对位置，改变封装基板器件线路铜层和硅器件及GaN器件的连线关系，不仅实现了共源共栅氮化镓器件的同侧Gate、Drain、Source顺序的管脚排布，同时，也把其中起主要的作用的共源寄生电感优化到了最小值。

公开(公告)号：CN114038909A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111235786.1

申请日：2021-10-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘美华 ,  金玉丰

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了增强型氮化镓功率器件及其制备方法，该增强型氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、势垒层，势垒层包括设于缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极、第一漏极和第一栅极，第二源极、第二漏极和第二栅极，从而形成高压耗尽型GaN HEMT和低压增强型GaN HEMT并级联形成cascode结构。以低压增强型GaN凹栅HEMT代替Si MOSFET，从而可以在器件上同时实现HV GaN MIS‑HEMT和LV GaN MIS‑FET，采用D‑mode高压GaN MIS‑HEMT保持漏端高压，E‑mode低压GaN FET驱动栅端，降低了寄生效应，提高了性能和稳定性。

公开(公告)号：CN109950133A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910194844.7

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  刘美华

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本申请公开了一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法。本申请的制备方法包括，在对碳化硅外延片圆片进行光刻机光刻曝光的过程中，将某一次或某几次的曝光图形旋转大于0度、小于360度的角度，根据被旋转的曝光图形所在的位置或旋转的角度，区分识别碳化硅外延片圆片。本申请的制备方法，其制备的碳化硅外延片圆片可通过直观的外观区别，即各次曝光图形旋转情况，直接辨识碳化硅外延片圆片编号；并且，本申请制备的辨识标记不会在后续加工中磨损消失，避免了由于标识不清造成的使用困扰，解决了现有圆片标记磨损的棘手难题。本申请的制备方法简单易操作，不仅可以兼容现有生产线，且不会影响现有生产流程和产品质量，节约了生产成本。

公开(公告)号：CN109950133B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910194844.7

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  刘美华

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本申请公开了一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法。本申请的制备方法包括，在对碳化硅外延片圆片进行光刻机光刻曝光的过程中，将某一次或某几次的曝光图形旋转大于0度、小于360度的角度，根据被旋转的曝光图形所在的位置或旋转的角度，区分识别碳化硅外延片圆片。本申请的制备方法，其制备的碳化硅外延片圆片可通过直观的外观区别，即各次曝光图形旋转情况，直接辨识碳化硅外延片圆片编号；并且，本申请制备的辨识标记不会在后续加工中磨损消失，避免了由于标识不清造成的使用困扰，解决了现有圆片标记磨损的棘手难题。本申请的制备方法简单易操作，不仅可以兼容现有生产线，且不会影响现有生产流程和产品质量，节约了生产成本。

公开(公告)号：CN107623030B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710650735.2

申请日：2017-08-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

公开(公告)号：CN108767017A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810351145.4

申请日：2018-04-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种半导体器件和制备方法，由于采用第一阳极欧姆结和第二阳极MIS结的复合阳极结构代替传统的肖特基结阳极，利用MIS结的沟道调控特性替代传统的肖特基结的整流特性，实现半导体器件的两个参数指标反向漏电流(IR)和正向开启电压(VoN)同时提升。同时，在本申请的制备方法中，整个制造过程所使用的工艺方案与条件均可通过标准Fab的工艺实现，并且工艺过程简单，减少了传统半导体器件终端优化设计时开窗口的次数。

公开(公告)号：CN109979808A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201910194173.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  刘美华

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用。本申请的方法包括，沉积步骤，在碳化硅片背面沉积金属层；热反应步骤，在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，采用酸性溶液对碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，对碳化硅片进行水冲洗，干燥；机械磨削步骤，采用磨头对碳化硅片的背面进行磨削；去保护膜步骤，去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。本申请的方法，利用金属层中的金属在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，改变碳化硅背面表层的物理化学性质，降低表层硬度，使其能正常使用硅圆片减薄设备进行减薄，不仅减薄效果良好，而且极大的降低了碳化硅片产品的生产成本。

公开(公告)号：CN109244057A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810770430.X

申请日：2018-07-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开了一种封装基板及基于该基板形成的共源共栅氮化镓器件，该封装基板包括基板本体，基板本体的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层，器件线路铜层包括第一铜层面和第二铜层面，第一铜层面和第二铜层面之间电气隔离；热排气铜层上设置有若干条延伸到基板边界的间隙。本发明优化了封装基板的结构和器件线路铜层的相对位置，改变封装基板器件线路铜层和硅器件及GaN器件的连线关系，不仅实现了共源共栅氮化镓器件的同侧Gate、Drain、Source顺序的管脚排布，同时，也把其中起主要的作用的共源寄生电感优化到了最小值。

公开(公告)号：CN109192698A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810771532.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/76

Abstract: 本发明公开了一种基于InGaN插入层实现GaN器件隔离的方法，该方法包括：准备GaN外延片，GaN外延片的GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成二维电子气，在GaN外延片的隔离区之间设置InGaN插入层，InGaN插入层设置在AlGaN层外，InGaN插入层与AlGaN势垒层的异质结中诱导出极化负电荷，极化负电荷耗尽二维电子气中的电子以实现不同器件区的隔离。本发明实现了器件的隔离，隔离区稳定性高，平坦化好。本方法避免传统GaN器件隔离工序中因离子注入造成的损伤和不稳定性，同时也避免了刻蚀带来的界面损伤和深槽，保证了器件的平坦化，是基于大尺寸平台量产GaN器件工艺中非常好的技术选择。

公开(公告)号：CN107768249A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710736915.2

申请日：2017-08-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，其凹栅的形成，是通过在所述第一层薄AlGaN势垒层上栅极区域制作二次外延阻挡层，然后再在所述第一层薄AlGaN势垒层上依次外延第二层AlGaN势垒层和GaN帽层，并去除阻挡层来形成，因此在制作凹栅时不需要经过任何干法和湿法刻蚀工艺，避免了刻蚀对AlGaN势垒层表面的损伤，降低界面太，以保证晶体管栅极优异的性能；另外，由于凹栅是通过AlGaN二次外延实现得，从而使得器件具有双AlGaN势垒层，保证了沟道中充足的电子，以使器件具有较大的导通电流。