公开(公告)号：CN114636909A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210174248.4

申请日：2022-02-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开一种场效应晶体管单脉冲雪崩能量检测系统和方法，包括直流电源、测试电路、信号采集装置、信号发生器和雪崩能量获取装置。直流电源用于提供直流电源，测试电路用于与待检测的场效应晶体管进行连接，信号发生器用于向场效应晶体管的栅极发送方波信号，信号采集装置用于获取场效应晶体管的电压变化曲线图和电流变化曲线图，雪崩能量获取装置用于依据电压和电流变化曲线图获取场效应晶体管的雪崩能量。该系统和方法适用于任意碳化硅垂直双扩散型器件，可以快速得到用于雪崩能量测试的电压变化曲线图和电流变化曲线图，在曲线图获取场效应晶体管的雪崩能量参数时不需要根据器件的不同而设置不同的参数，具有一定的通用性。

公开(公告)号：CN109742135B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN201811466155.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  黄樟伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。

公开(公告)号：CN109950133B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910194844.7

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  刘美华

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本申请公开了一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法。本申请的制备方法包括，在对碳化硅外延片圆片进行光刻机光刻曝光的过程中，将某一次或某几次的曝光图形旋转大于0度、小于360度的角度，根据被旋转的曝光图形所在的位置或旋转的角度，区分识别碳化硅外延片圆片。本申请的制备方法，其制备的碳化硅外延片圆片可通过直观的外观区别，即各次曝光图形旋转情况，直接辨识碳化硅外延片圆片编号；并且，本申请制备的辨识标记不会在后续加工中磨损消失，避免了由于标识不清造成的使用困扰，解决了现有圆片标记磨损的棘手难题。本申请的制备方法简单易操作，不仅可以兼容现有生产线，且不会影响现有生产流程和产品质量，节约了生产成本。

公开(公告)号：CN108259169B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201810018768.X

申请日：2018-01-09

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  深港产学研基地

Inventor： 李大刚 ,  符玥 ,  杜蓉 ,  林信南

IPC: H04L9/08 ,  H04L29/06 ,  H04L29/08

Abstract: 本发明适用于数据存储技术改进领域，提供了一种基于区块链云存储的文件安全分享方法，包括：S1、通过对称加密算法对文件进行加密数据并将数据密文存储在云盘中；S2、用户将解密数据密文的对称密钥通过加密生成密钥密文并将密钥密文和数据密文存放位置一起作为元数据的一部分存储在区块链上；S3、对存储的文件数据使用新密钥进行代理重加密，通过新密钥以及重加密后的新密文进行安全分享。在区块链去中心化存储架构下的一种私密文件的云端安全存储及分享机制的实现，使得用户存储于云端的数据必须通过私钥才能访问，而在需要向其他用户分享自有加密数据时不用向他人暴露持有者自身的原始密钥，也不必将云端数据全部下载下来后用分享密钥重新加密后再上传。

公开(公告)号：CN111883579A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010796589.6

申请日：2020-08-10

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘凯 ,  楼海君 ,  林信南

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和漏电介质层分别位于源区的端面和漏区的端面，使得器件在工作时，金属与半导体体硅接触的位置与沟道相距更近，所以源漏电阻降低，从而极大的增大了器件的开态电流，边缘粗糙度造成器件电学特性的波动进一步受到抑制，提高了器件电学特性的稳定性。

公开(公告)号：CN107623030B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710650735.2

申请日：2017-08-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

公开(公告)号：CN107068734B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710059574.X

申请日：2017-01-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 万文波 ,  楼海君 ,  肖颖 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层、漏电极和漏端侧电极；隔离介质层，将源电极和栅电极隔开；源电极和漏电极的功函数为根据掺杂类型确定的功函数，以在源区和漏区表面形成导电载流子层。本发明通过调节源电极和漏电极的金属功函数，可以在源区和漏区表面积累相应类型的载流子进行电流输运。该结构不仅可以抑制工艺波动线边缘粗糙对器件性能的影响，并且可以保持无结器件的电流驱动能力，优化无结器件的亚阈值特性，进而提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN109860289A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811473699.8

申请日：2018-12-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  邝文腾

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请提出一种晶体管，其包括GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO2钝化层；还包括具有高掺杂区和低掺杂区的双掺杂p型栅结构。本申请还提供一种晶体管制作方法，包括如下过程：制备GaN外延片；在GaN外延片上制成掺杂结构；在掺杂结构中形成低掺杂区；在掺杂结构中形成高掺杂区；制成源极金属电极区、栅极金属电极区和漏极金属电极区。本申请采用简单高效的方法制作晶体管，可操作性强，适合于晶体管量产工艺的开发，利于大批量生产；所制得的晶体管具有两个掺杂浓度的掺杂区域，可以有效提高阈值电压和输出电流。

公开(公告)号：CN109728075A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811496829.X

申请日：2018-12-07

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  钟皓天

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法，该SiC-TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N-漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N-漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的侧面设有对称分布的保护结构以对SBD进行耐压保护。第一方面，在AOD层的侧面设置对称分布的保护结构，使得本申请的SiC-TMOS器件具有双沟道的导通效果，可有效降低导通电阻并增强导通的稳定性；第二方面，由于保护结构中设有P型区域、沟槽栅极区域和P+屏蔽层，使得其具备了三层的耐压保护特性，每个保护层都可形成电荷耦合并在耗尽时减少漏电，提升器件的阻断电压能力也减小了SiC-TMOS器件在内置SBD时的基础性能所受的影响，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN109727863A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201910002433.3

申请日：2019-01-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  钟皓天

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提出一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，包括如下步骤：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积中间缓冲层和GaN，AlGaN和p-GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiOx作为刻蚀保护层；通过PECVD淀积AlOx作为侧墙封包栅金属Mo；通过BCl3/Ar的ICP-RIE刻蚀工艺去除多余的AlOx；通过Cl2/N2/O2的ICP-RIE工艺选择性刻蚀p-GaN；PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiOx和AlOx，并采用PECVD方法淀积SiNx介质层，完成器件制作。由于整个器件制作方法中使用的工艺和条件均和SiCMOS工艺兼容，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。