公开(公告)号：CN107068734A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710059574.X

申请日：2017-01-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 万文波 ,  楼海君 ,  肖颖 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层、漏电极和漏端侧电极；隔离介质层，将源电极和栅电极隔开；源电极和漏电极的功函数为根据掺杂类型确定的功函数，以在源区和漏区表面形成导电载流子层。本发明通过调节源电极和漏电极的金属功函数，可以在源区和漏区表面积累相应类型的载流子进行电流输运。该结构不仅可以抑制工艺波动线边缘粗糙对器件性能的影响，并且可以保持无结器件的电流驱动能力，优化无结器件的亚阈值特性，进而提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN107068734B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710059574.X

申请日：2017-01-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 万文波 ,  楼海君 ,  肖颖 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层、漏电极和漏端侧电极；隔离介质层，将源电极和栅电极隔开；源电极和漏电极的功函数为根据掺杂类型确定的功函数，以在源区和漏区表面形成导电载流子层。本发明通过调节源电极和漏电极的金属功函数，可以在源区和漏区表面积累相应类型的载流子进行电流输运。该结构不仅可以抑制工艺波动线边缘粗糙对器件性能的影响，并且可以保持无结器件的电流驱动能力，优化无结器件的亚阈值特性，进而提高器件的稳定性。