公开(公告)号：CN109728075A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811496829.X

申请日：2018-12-07

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  钟皓天

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法，该SiC-TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N-漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N-漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的侧面设有对称分布的保护结构以对SBD进行耐压保护。第一方面，在AOD层的侧面设置对称分布的保护结构，使得本申请的SiC-TMOS器件具有双沟道的导通效果，可有效降低导通电阻并增强导通的稳定性；第二方面，由于保护结构中设有P型区域、沟槽栅极区域和P+屏蔽层，使得其具备了三层的耐压保护特性，每个保护层都可形成电荷耦合并在耗尽时减少漏电，提升器件的阻断电压能力也减小了SiC-TMOS器件在内置SBD时的基础性能所受的影响，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN109727863A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201910002433.3

申请日：2019-01-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  钟皓天

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提出一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，包括如下步骤：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积中间缓冲层和GaN，AlGaN和p-GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiOx作为刻蚀保护层；通过PECVD淀积AlOx作为侧墙封包栅金属Mo；通过BCl3/Ar的ICP-RIE刻蚀工艺去除多余的AlOx；通过Cl2/N2/O2的ICP-RIE工艺选择性刻蚀p-GaN；PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiOx和AlOx，并采用PECVD方法淀积SiNx介质层，完成器件制作。由于整个器件制作方法中使用的工艺和条件均和SiCMOS工艺兼容，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。