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公开(公告)号：CN102779851B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210232954.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。
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公开(公告)号：CN103474459B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310403969.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。
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公开(公告)号：CN102185301B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110132583.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H02H9/00
Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。
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公开(公告)号：CN102544073A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110424189.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深港产学研基地
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种无结纳米线场效应晶体管，包括沟道、源区和漏区，所述源区设置在沟道的一端，所述漏区设置在沟道的另一端，所述沟道的外表面覆盖有栅氧化层，所述栅氧化层的表面覆盖有栅电极层，所述栅电极层包括接近源区的第一栅电极层和接近漏区的第二栅电极层。与现有技术相比，本发明实施例引入分裂栅结构，使得无结纳米线场效应晶体管的载流子在沟道中速度提高，从而使得开态电流增大，不考虑阈值电压的影响，同时也使得器件的关态电流变小，并且屏蔽了漏极对器件的影响，使得漏致势垒降低效应明显减弱，提高了电流的驱动能力。同时，分裂栅的引入使得无结纳米线场效应晶体管在低压时的跨导特性明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185301A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110132583.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H02H9/00
Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。
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公开(公告)号：CN103474459A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310403969.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。
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公开(公告)号：CN102779851A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210232954.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。
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公开(公告)号：CN102637733A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210121740.1
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设置有源区，有源区上方设置有电极，作为发射极引出；N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，栅氧化层上端设置有多晶硅栅，多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区，P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区，掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJIGBT结构的改进，增加了器件的耐压，器件具有较低的导通电压，同时提升了器件关断速度。
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公开(公告)号：CN102637733B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210121740.1
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设置有源区，有源区上方设置有电极，作为发射极引出；N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，栅氧化层上端设置有多晶硅栅，多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区，P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区，掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJIGBT结构的改进，增加了器件的耐压，器件具有较低的导通电压，同时提升了器件关断速度。
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