公开(公告)号：CN104241349B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410488417.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟航 ,  李冰华 ,  江兴川 ,  林信南

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。

公开(公告)号：CN104241349A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410488417.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟航 ,  李冰华 ,  江兴川 ,  林信南

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/36

Abstract: 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。

公开(公告)号：CN102779851A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210232954.6

申请日：2012-07-06

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 楼海君 ,  林信南 ,  李冰华 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。

公开(公告)号：CN102779851B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210232954.6

申请日：2012-07-06

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 楼海君 ,  林信南 ,  李冰华 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。