公开(公告)号：CN102185301B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110132583.X

申请日：2011-05-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 黄宇聪 ,  林信南 ,  何进 ,  王伟

IPC: H02H9/00

Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。

公开(公告)号：CN102185301A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110132583.X

申请日：2011-05-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 黄宇聪 ,  林信南 ,  何进 ,  王伟

IPC: H02H9/00

Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。