公开(公告)号：CN109742142A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811495340.0

申请日：2018-12-07

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  石黎梦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/207 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层、源极、栅极和漏极，由于该GaN基HEMT器件在制备过程中应用H等离子体处理技术将帽层制备成高阻态，以优化该GaN基HEMT器件的内部电场分布，降低了表面陷阱对器件性能的影响。

公开(公告)号：CN109742146A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811495352.3

申请日：2018-12-07

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  石黎梦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件，包括漏极、衬底、外延区、P型阱区、n+源区、栅极、栅氧介质、源极和n源区，由于优化了碳化硅MOSFET器件的内部结构，使得碳化硅MOSFET器件的电气特性得到提高，以替代6.5kVSi IGBT器件。