公开(公告)号：CN113169221A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006544.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李龙飞 ,  刘保良 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。

公开(公告)号：CN113169221B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202080006544.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李龙飞 ,  刘保良 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。

公开(公告)号：CN114008794A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080044170.3

申请日：2020-09-11

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李龙飞 ,  林信南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法，包括无结纳米线(10)，源区(12)的外表面覆盖有源电极层(32)，其中，源电极层(32)和源区(12)的部分表面之间有源电介质层(22)；漏区(13)的外表面覆盖有漏电极层(33)，其中，漏电极层(33)和漏区(13)部分表面之间有漏电介质层(23)；环沟道区(11)的外周表面依次覆盖具有栅电介质层(21)、铁电材料层(50)以及栅电极层(31)。由于基于铁电材料的无结晶体管的负电容特性，当器件工作在积累区的时候，使得器件的驱动电流更大，提高了器件的开启速度；当器件工作在耗尽区时，使得器件的亚阈值斜率和泄漏电流减小，器件的功耗减小，极大地提高了器件的电学性能。