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公开(公告)号：CN104114755B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380009719.5
申请日：2013-02-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 石桥惠二
IPC: C30B29/36 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B31/04 , H01L21/02002 , H01L21/02008 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/0475 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66068 , H01L29/812
Abstract: 一种碳化硅衬底(1)具有第一主面(1A)和面对第一主面(1A)的第二主面(1B)。包含第一主面(1A)和第二主面(1B)中的至少一个的区域包括单晶碳化硅。在该主面中的一个上，硫原子以60×1010原子/cm2到2000×1010原子/cm2的范围存在，作为杂质的碳原子以3at％到25at％的范围存在。由此，可以提供具有稳定表面的碳化硅衬底、使用该碳化硅衬底的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103014866B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210441633.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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公开(公告)号：CN101884094B9
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200980101212.6
申请日：2009-02-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。
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公开(公告)号：CN103122485A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310011554.7
申请日：2009-02-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02021 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L24/32 , H01L33/0075 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体晶片，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削（倒角）、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量%的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。
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公开(公告)号：CN102666945A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080057660.3
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC classification number: C30B29/403 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L33/32 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 提供一种Ⅲ族氮化物晶体衬底（1），其中，在满足所述晶体衬底的任意特定平行晶格面（1d）的X射线衍射条件的同时，通过利用从所述晶体衬底的主表面（1s）起的X射线穿透深度的变化进行X射线衍射测量，来获得所述晶体衬底的所述特定平行晶格面（1d）的面间距，在由d1表示在X射线穿透深度为0.3μm时的面间距并且d2表示在X射线穿透深度为5μm时的面间距的情况下，由|d1–d2|/d2的值表示的晶体衬底的表面层的平均形变等于或低于1.7×10-3，并且，其中，主表面（1s）的面取向在[0001]方向上相对于包括晶体衬底的c轴（1c）的面（1v）具有等于或大于-10°且等于或小于10°的倾斜角。由此可以提供适合制造抑制了发光蓝移的发光器件的Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484059A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080040221.1
申请日：2010-11-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供一种研磨剂和利用所述试剂制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法，由此能够有利地保持化合物半导体衬底的表面品质，还能够保持高研磨速率。所述研磨剂为用于GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的研磨剂，且包含碱金属碳酸盐、碱金属有机酸盐、氯基氧化剂和碱金属磷酸盐，其中所述碱金属碳酸盐和所述碱金属有机酸盐的浓度总和为0.01mol/L～0.02mol/L。所述制造化合物半导体的方法包括：准备GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的步骤，以及利用上述研磨剂对所述化合物半导体的面进行研磨的步骤。
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公开(公告)号：CN101792929B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010111026.5
申请日：2006-04-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C09G1/02 , C30B29/403 , C30B33/00 , C30B35/00 , H01L21/02024 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , Y10T428/24355 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为50nm以下的受影响层；和厚度为3nm以下的表面氧化层。本发明还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括上述的III族氮化物晶体基材。本发明提供的另一种III族氮化物晶体基材除上述两层外还包括通过外延生长在所述III族氮化物晶体基材上形成的至少一个III族氮化物层。
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公开(公告)号：CN101542760B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880000429.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1-xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1-xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。
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公开(公告)号：CN102112666A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130082.9
申请日：2009-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B33/00 , C30B33/12
Abstract: 本发明的化合物半导体衬底(10)由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层(12)，该表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物、和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物。本发明人经过深入研究，结果新发现：当化合物半导体衬底(10)的表面的表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物时，化合物半导体衬底(10)与形成于其上的外延层(14)之间的界面处的Si减少，结果界面处的电阻降低。
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公开(公告)号：CN101826581A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010123875.2
申请日：2010-03-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/18 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/32 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 一种氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片。所述氮化镓类半导体光元件包括显示较低的压电效应和良好的结晶质量的含铟氮化镓类半导体层。氮化镓类半导体光元件具有GaN支撑体、GaN类半导体区域和阱层。主面从与沿着GaN的m轴和a轴中一个晶轴的方向延伸的基准轴正交的面起，向另一个晶轴的方向倾斜。倾斜的角度(AOFF)在0.05度以上且小于15度的范围内。角度(AOFF)与矢量(VM)和矢量(VN)形成的角度相等。主面的倾斜由具有代表性的m面和m轴矢量(VM)表示。GaN类半导体区域设置于主面上。活性层的阱层的m面和a面均向主面的法线轴倾斜。阱层的铟组分大于0.1。
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