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公开(公告)号：CN101451234B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810185711.5
申请日：2008-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。
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公开(公告)号：CN102245802A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150183.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 成嶋健索
IPC: C23C16/08 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C14/14 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/4488 , C23C16/4557 , C23C16/5096 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76865
Abstract: 成膜方法包括：在腔室内配置被处理基板的工序；通过供给通路向腔室内供给含有含氯气体的处理气体的工序；在处理气体的供给通路中配置Ti含有部，在向腔室供给处理气体时，使处理气体中的含氯气体与Ti含有部接触而使含氯气体与Ti含有部的Ti反应的工序；边加热腔室中的被处理基板，边向被处理基板供给通过含氯气体与Ti的反应而生成的Ti前体气体，通过热反应在被处理基板的表面沉积Ti的工序。
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公开(公告)号：CN101107379B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200680002702.7
申请日：2006-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C8/24 , C23C8/26 , C23C8/36 , C23C8/38 , C23C14/00 , C23C16/14 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/56 , G11B5/84
Abstract: 本发明提供一种气体处理方法，使用气体处理装置，利用含有NH3气体和H2气体的气体对被处理体(W)进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在腔室内的喷淋头；向腔室内供给含有NH3气体和H2气体的气体的气体供给单元，腔室的覆盖层和喷淋头含有镍(Ni)。通过控制H2/NH3流量比和温度，抑制腔室的覆盖层和喷淋头中含有的镍的反应。
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公开(公告)号：CN101501244A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029097.7
申请日：2007-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设置气体供给装置的喷淋板上所穿设的气体供给孔的配置图案，使得这些气体供给孔配置在多个同心圆上，并且使同心圆上的气体供给孔和与内侧邻接的同心圆以及与外侧邻接的同心圆的各自最接近的气体供给孔不在同心圆的半径上排列。
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公开(公告)号：CN101346802A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000953.6
申请日：2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/14 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层，在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSix膜。在形成上述TiSix膜(507)的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述工序：向处理室导入钛化合物气体，使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序；停止向处理室导入钛化合物气体，除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序；和向处理室导入氢气，并在处理室内形成等离子体，对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原，同时使其与Si表面的硅反应，形成TiSix膜(507)的第三工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101310040A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000105.5
申请日：2007-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF3气体，清洁所述腔室(31)内。
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公开(公告)号：CN108531888B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810174814.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种在成膜原料罐的更换后，能够容易以稳定的状态供给原料气体的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置包括：与所述原料容器的上游侧连接的、控制所述载气的流量的质量流量控制器；与所述原料容器的下游侧连接的流量计；和控制部，其进行控制使得在所述原料容器的更换之后不向所述处理容器内供给所述原料气体直至所述流量计的检测值稳定，其中，所述检测值是对由所述质量流量控制器控制为一定流量的所述载气的检测值。
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公开(公告)号：CN105839068B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610064286.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/08 , C23C16/455 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时，在供给氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加还原气体，在该ALD法中，以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。
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公开(公告)号：CN108531888A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810174814.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种在成膜原料罐的更换后，能够容易以稳定的状态供给原料气体的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置包括：与所述原料容器的上游侧连接的、控制所述载气的流量的质量流量控制器；与所述原料容器的下游侧连接的流量计；和控制部，其进行控制使得在所述原料容器的更换之后不向所述处理容器内供给所述原料气体直至所述流量计的检测值稳定，其中，所述检测值是对由所述质量流量控制器控制为一定流量的所述载气的检测值。
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公开(公告)号：CN101671813B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910173311.7
申请日：2009-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法，其在成膜中，不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况，能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序：在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下，将基座(2)加热，利用含Ti的处理气体，至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序；其后，在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W)，向腔室(1)内供给处理气体，在晶片(W)上成膜Ti膜的工序；在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下，向腔室(1)内导入清洗气体，清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中，使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后，在Ti膜成膜时的温度下，形成高温预涂膜(72)。
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