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公开(公告)号：CN106591953B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510661933.X
申请日：2015-10-14
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置，其中，所述硅单晶棒回收装置包括：用于盛装待回收的硅单晶棒的硅单晶棒容器；用于盖住并密封所述硅单晶棒容器的盖体；穿过所述盖体与所述硅单晶棒容器连通的第一管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第二管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第三管路；与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第四管路。液氮从第二管路流入硅单晶棒容器后，热去离子水通过第一管路流入硅单晶棒容器对其中的硅单晶棒淬火，淬火完成后的水通过第四管路排出，即可收集无污染的硅单晶碎块。在整个过程中，不会引入其他杂质，实现了无污染且快速的回收硅单晶棒，方便后续使用，降低了成本，提高了效益。
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公开(公告)号：CN107275250A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610218416.X
申请日：2016-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109
Abstract: 本发明揭示了一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置。所述降低预抽腔体中芯片温度的方法包括：提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；分别在该预抽腔体的内表面以及该芯片承载盘的表面添加一层薄膜，该薄膜的热辐射吸收系数大于等于0.8W/(m·K)。
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公开(公告)号：CN112378546B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011075003.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01K13/00
Abstract: 本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。
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公开(公告)号：CN115223858A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110425507.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种硅片加工方法，包括：建立第1至第n个单步工艺的平坦度模型，并据此建立最终产品的平坦度模型；根据最终产品的平坦度模型获得第m个单步工艺的目标平坦度，并结合第m个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m个单步工艺，并得到第m个单步工艺的实际平坦度；利用第m个单步工艺的实际平坦度调整第m+1个单步工艺的目标平坦度，结合第m+1个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m+1个单步工艺；其中，n为大于1的正整数，m＝1、2....n‑1。通过上述模型设定单步工艺的目标平坦度及优化对应单步工艺的工艺参数及设备参数，并针对前一单步工艺的目标平坦度及实际平坦度的差异，利用下一单步工艺进行调整，进而解决提高硅片平坦度的问题。
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公开(公告)号：CN113279055A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110413089.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。根据本发明提供的外延基座，通过设置气流扰动机构，从而使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同，改善气流的均匀性，进而提高形成的外延层的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112908876A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110063682.0
申请日：2021-01-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种硅片金属污染测试方法及装置，在对硅片进行热处理后，通过对硅片进行SPV测试，可获取硅片中关于金属污染含量的SPV测试数据；通过对SPV测试数据进行SPC数据分析，可获取SPV测试数据与阈值的比对结果，以判断硅片的质量。本发明可实现对硅片金属污染的数字化及自动化测试，以提高测试灵敏度、测试准确率及测试效率；无需使用络酸，从而可降低污染及危险系数，且无需进行清洗工序；从而本发明可对硅片金属污染进行方便、快捷、灵敏度高、准确率高、有效节约人力及物力资源的测试。
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公开(公告)号：CN110852021A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810837465.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，包括：1）提供第一衬底，在预设参数条件下，于第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，并对外延层进行模拟以获得外延层外延模拟厚度；3）提供第二衬底，测量第二衬底的第二实际厚度，并对第二衬底进行模拟以获得第二衬底的衬底模拟厚度；以及4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
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公开(公告)号：CN109545653A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710868142.3
申请日：2017-09-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善外延硅片边缘平坦度的方法，包括如下步骤：1）提供一硅晶片；2）将所述硅晶片置于外延设备的反应腔室内；3）于预设外延温度下向所述反应腔室内通入反应气体，以在所述硅晶片的表面形成外延单晶硅薄膜，其中，位于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增。本发明的通过在外延过程中控制外延形成于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增，可以补偿外延前硅晶片边缘区域厚度减薄现象，从而使得最终得到的外延硅片的表面具有较高的边缘平坦度。
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公开(公告)号：CN108950680A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810903652.4
申请日：2018-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B25/12 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种外延基座，包括基座主体、环形基座外沿及多个凸块；基座主体包括用于放置待处理的晶圆的基座载台及环绕基座载台外围的环形侧壁，基座载台与环形侧壁相连接；环形基座外沿位于环形侧壁上，环形基座外沿自基座主体向远离基座主体的方向延伸；多个凸块位于环形基座外沿的上表面，且沿环形基座外沿的周向均匀间隔排布。本发明的外延基座，能够实现（110）晶面上的外延沉积速率相应降低，从而使晶圆边缘整体的外延生长速度趋于相同，因而在本发明的外延基座中进行外延沉积的晶圆的ESFQR相对于在传统外延基座中沉积的晶圆有极大改善。本发明结构简单，使用方便。采用本发明的外延设备，能有效提高外延层厚度均匀性，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN106856181A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510900577.2
申请日：2015-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出了一种监测基座温度均匀性的方法，在晶圆表面形成二氧化硅，将晶圆放置在基座上进行升温，同时通入氢气，借助于氢气的还原作用与二氧化硅进行反应，改变二氧化硅薄膜的光学特性，温度越高的区域还原反应速率越快，二氧化硅薄膜的光学特性改变的越多，由此推算出温度均匀性，此外，晶圆表面形成的二氧化硅可以通过湿法刻蚀去除，解决晶圆回收问题，并且不会对反应腔室造成污染。
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