功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN119133132A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411279523.4

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 本发明提供使用了引线框的功率半导体装置以及其制造方法,该功率半导体装置以及其制造方法对端子的变形、弯曲进行抑制,确保端子间的绝缘性,并且使向控制基板的安装性变好。通过设置封装体(1)、端子(3)以及端子弯曲部(4),从而能够对端子(3)的变形、弯曲进行抑制,在相邻的端子(3)之间确保所需的绝缘性,容易地进行向控制基板的安装,其中,封装体(1)具有在引线框(2)之上搭载并封装有半导体元件的引线框(2),端子(3)从封装体(1)的侧面露出、弯曲,端子弯曲部(4)是端子(3)的弯曲部分且宽度大于端子(3)的前端宽度而小于或等于与封装体(1)相接的端子(3)的宽度。

    电力用半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107078127B

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201480083227.5

    申请日:2014-11-07

    Abstract: 具有:电力用半导体元件;控制元件;第1及第2引线框,它们分别保持电力用半导体元件和控制元件;第1金属配线,其将电力用半导体元件和第1引线框电连接;第2金属配线,其将电力用半导体元件和控制元件电连接;以及封装体,其对它们进行覆盖,第1引线框包含有:芯片焊盘,其具有搭载有电力用半导体元件的搭载面;以及第1内部引线,其具有与第1金属配线的一端连接的连接面,在封装体的表面中的与沿搭载面的方向相交叉的侧面,在第1及第2引线框没有从此处凸出的侧面部分,形成有与其他区域相比表面粗糙度大的树脂注入口痕迹,树脂注入口痕迹在从沿搭载面的方向观察时,相对于连接面而形成在第1金属配线所在侧的相反侧。

    半导体装置及其制造方法
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104517913B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201410409776.9

    申请日:2014-08-19

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于,具有:陶瓷衬底(1);多个电路图案(1a),其配置在陶瓷衬底(1)表面;半导体元件(2),其配置在至少1个电路图案(1a)的表面;以及封装树脂(4),其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2),在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa),在欠切部(1aa)中,电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比,向该电路图案(1a)的外侧突出,在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。

    电力半导体装置
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105900234B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201480072814.4

    申请日:2014-01-10

    Abstract: 目的在于提供一种能够尽量维持散热性并实现电力半导体装置的低成本化的技术。电力半导体装置具有:引线框架(1a);电力半导体元件(2),其配置于引线框架(1a)的上表面之上;以及绝缘层(6),其配置于引线框架(1a)的下表面之上。在上述下表面配置了绝缘层(6)的区域的外周线的至少一部分线与扩大外周线的至少一部分线在俯视图中对齐,该扩大外周线是在如下情况下得到的,即,将在上述上表面配置了电力半导体元件(2)的区域的外周线以引线框架(1a)的厚度的量进行了扩展。

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