公开(公告)号：CN105713537A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510968865.1

申请日：2015-12-22

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 韩在铉 ,  文炯朗 ,  郭炳都 ,  金一鎭 ,  金志浩 ,  文星现 ,  李光奂

IPC: C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J7/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28

CPC classification number: C09J133/08 ,  C08K7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/622 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/114 ,  C09J2433/00 ,  C09J2467/006 ,  C09J2483/00 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1841 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C08L51/003 ,  C08K5/5435 ,  C08L51/085 ,  C08F2220/281

Abstract: 本文披露一种粘合剂膜以及显示构件，粘合剂膜由粘合剂组合物形成，粘合剂组合物包含：单体混合物，包含含羟基的(甲基)丙烯酸酯和共聚单体；以及纳米粒子，其中所述粘合剂膜的玻璃化转变温度(Tg)为-20℃或小于-20℃，折射率为1.40到1.55，并且在所述粘合剂膜的厚度为100微米下，浊度为3％或小于3％。本发明的粘合剂膜在苛刻条件下展现优良的可恢复性、透明度以及可靠性，同时在宽的温度范围内维持粘弹性。

公开(公告)号：CN105567137A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510728934.1

申请日：2015-10-30

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  金志浩 ,  金一鎭 ,  郭炳都 ,  金智熙 ,  文星现 ,  辛善喜 ,  李光奂 ,  李雨晋 ,  李垠和 ,  赵益晥 ,  韩在铉 ,  赵重根

IPC: C09J133/08 ,  C09J133/12 ,  C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335

Abstract: 本文中披露了一种粘合剂组合物、由其制备的粘合剂膜及包含其的显示部件。粘合剂组合物包含：单体混合物，所述单体混合物包含含羟基的(甲基)丙烯酸酯和共聚单体；以及有机粒子，其中所述有机粒子具有10nm到400nm的平均粒子直径。所述粘合剂组合物就恶劣条件下的可靠性、可恢复性、可折叠性、透光度以及粘附性来说展现出优良特性，同时在宽温度范围内维持粘弹性。

公开(公告)号：CN119024654A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410424324.1

申请日：2024-04-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 扈锺必 ,  文炯朗 ,  韩承 ,  金兑镐 ,  朴景铃 ,  朴时均 ,  郭泽秀 ,  朴庆熏 ,  宋明洙 ,  裵鎭希 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括在衬底上涂覆含金属抗蚀剂组合物；进行干燥并加热以在衬底上形成含金属抗蚀剂膜；使用经图案化掩模对含金属抗蚀剂膜进行曝光；以及涂覆显影剂组合物以移除未曝光区，进而形成抗蚀剂图案。与显影前抗蚀剂膜的厚度相比，显影后抗蚀剂膜的厚度增加了约5％到约100％，且基于原子总数计，显影后的抗蚀剂膜的表面可包含约5at％到约20at％的选自磷元素及硫元素中的至少一者。

公开(公告)号：CN119024641A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410640016.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴时均 ,  金旼秀 ,  裵鎭希 ,  文炯朗 ,  郭泽秀 ,  扈锺必 ,  柳东完 ,  曺雅罗 ,  宋明洙 ,  朴庆熏 ,  崔晋喜

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种被配置用于从含金属抗蚀剂移除边珠和/或作为含金属抗蚀剂的显影剂组合物的组合物是无水的，并且包含有机溶剂和选自氨基酸类化合物、含硫的酸化合物和含硫的胺类化合物中的至少一种添加剂。一种组合物、使用所述组合物形成图案的方法及形成图案的系统，所述方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物；沿着衬底的边缘涂布本实施例的被配置用于从含金属抗蚀剂移除边珠的所述组合物；进行干燥和加热以在衬底上形成含金属的抗蚀剂膜；对含金属的抗蚀剂膜进行曝光；以及利用含金属抗蚀剂的显影剂组合物对含金属的抗蚀剂膜进行显影。

公开(公告)号：CN115895662B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN119432511A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411054043.8

申请日：2024-08-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金兑镐 ,  金旼秀 ,  文炯朗 ,  朴时均 ,  裵鎭希 ,  韩承 ,  扈锺必 ,  朴景铃 ,  宋明洙 ,  朴庆熏

IPC: C11D7/28 ,  G03F7/00 ,  G03F1/76 ,  C11D7/50

Abstract: 公开一种用于从含金属的抗蚀剂移除边缘珠粒的组合物、一种含金属的抗蚀剂的显影剂组合物、以及使用其形成图案的方法。根据一个或多个实施例的组合物包含：经至少一个氟取代的C1至C10羧酸化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN118732423A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311571205.0

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 成太根 ,  文炯朗 ,  崔有廷 ,  任浣熙 ,  李忠宪 ,  宋大锡 ,  司空峻

IPC: G03F7/32

Abstract: 提供一种含金属光刻胶显影剂组合物以及包括使用所述含金属光刻胶显影剂组合物进行显影的步骤的形成图案的方法，所述含金属光刻胶显影剂组合物包含有机溶剂、酸化合物以及所述酸化合物的共轭碱化合物。

公开(公告)号：CN118444539A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311535938.9

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴景铃 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  郭泽秀 ,  成太根 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 本发明公开一种含金属光刻胶显影剂组合物、和一种形成包含使用所述含金属光刻胶显影剂组合物的显影步骤的图案的方法，含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；酸化合物，具有1.0≤pKa1≤4.8；以及至少一种醇类化合物，选自衍生自非环烃的二醇化合物和环状醇化合物。

公开(公告)号：CN115895662A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN112680228B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202011107899.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  张俊英 ,  金贤贞 ,  文炯朗 ,  李智惠 ,  韩权愚 ,  黄基煜

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。