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公开(公告)号：CN109837524A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811431633.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/511 , C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。
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公开(公告)号：CN109285847A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810154273.X
申请日：2018-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。
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公开(公告)号：CN109256328A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810030517.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M-O-C键或M-C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。
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公开(公告)号：CN104659096A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410433124.9
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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公开(公告)号：CN101462717A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810169624.0
申请日：2008-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C30B1/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C01B2204/04 , C30B29/02
Abstract: 本发明描述了一种单晶石墨烯片、一种制备单晶石墨烯片的工艺以及一种包括单晶石墨烯片的透明电极。所述单晶石墨烯片包含多环芳香分子，其中，多个碳原子彼此共价结合，单晶石墨烯片包括层数在大约1层至大约300层之间的层，其中，Raman D带强度与Raman G带强度的峰比小于等于大约0.2。所述制备单晶石墨烯片的方法包括：形成包括单晶石墨化金属触媒片的触媒层；将含碳材料设置在触媒层上；在惰性气氛和还原性气氛中的至少一种中热处理触媒层和含碳材料。
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公开(公告)号：CN101314470A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810107802.7
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/00 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p－掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1680466A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410094224.X
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/04 , H01L21/312
CPC classification number: C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/50 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , Y10T428/31663
Abstract: 此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂(微孔生成物)，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且把组合物涂敷在基板上以形成半导体器件所用的层间电介质膜。由本方法形成的层间电介质膜具有低介电常数并显示出优良的机械特性。
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公开(公告)号：CN1626537A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
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