公开(公告)号：CN110112137A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910417752.0

申请日：2016-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锺源 ,  林昇炫 ,  姜昌锡 ,  朴泳雨 ,  裵大勋 ,  殷东锡 ,  李宇城 ,  李载悳 ,  任宰佑 ,  崔韩梅

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556

Abstract: 提供了一种具有虚设通道区的垂直存储装置，所述存储装置包括：第一基底；第二基底，位于第一基底上；栅电极层和绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。

公开(公告)号：CN109300908A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810812055.0

申请日：2018-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光泳 ,  金钟源 ,  殷东锡 ,  李俊熙

IPC: H01L27/11582 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L21/4814 ,  H01L23/481

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括包含堆叠在衬底上的导电层的堆叠结构。而且，该半导体器件包括穿透堆叠结构的台阶区域的虚设结构。虚设结构的一部分包括第一区段和第二区段。第一区段在平行于衬底的上表面的平面中沿第一方向延伸。第二区段在所述平面中沿交叉第一方向的第二方向从第一区段突出。

公开(公告)号：CN108461475A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810270157.4

申请日：2013-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷东锡 ,  李宁浩 ,  李俊熙 ,  李锡元 ,  申有哲

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/24 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/441 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/498 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/441 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种三维半导体装置。所述装置可以包括顺序地堆叠在基板上以构成电极结构的电极。每个电极可以包括：连接部，从位于其上的一个电极的侧壁向外水平地突出；对齐部，具有与位于其上或其下的一个电极的侧壁共面的侧壁。这里，电极中的设置成彼此竖直邻近的至少两个电极可以以这样的方式设置，即，所述至少两个电极的对齐部具有基本对齐成彼此共面的侧壁。

公开(公告)号：CN107393927A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710307715.5

申请日：2017-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉一 ,  辛京准 ,  殷东锡 ,  金智慧 ,  李炫国

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：交替地层叠在基板上的栅电极和层间绝缘层；穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层；以及设置在栅电极和沟道层之间在沟道层的外表面上的栅电介质层。此外，沟道层包括第一区和第二区，第一区在垂直于基板的顶表面的方向上延伸，第二区在第一区的下部分中连接到第一区并且包括关于基板的顶表面倾斜的面。