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公开(公告)号：CN100468632C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610065122.4
申请日：2006-03-17
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425 , C30B31/22 , H01J37/317 , H05H1/00 , H05F3/04
摘要： 本发明提供一种等离子淋浴器，能够产生中和用电子，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。
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公开(公告)号：CN101333686A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041160.5
申请日：2008-07-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C30B31/22 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法，它提供了在氧化锌单晶晶片或薄膜材料中离子注入过渡族金属离子(III B－VII B族金属)，制备完全定向排列(相对于ZnO基体)的金属纳米锌的方法，具体给出了相应的工艺过程和具体参数，以及采用该方法所获得的定向排列金属纳米锌的结果。本发明提出的途径能高效，简单可控的在氧化锌材料中制备完全定向排列的金属纳米锌，且纳米锌都是单晶的。
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公开(公告)号：CN101290877A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710039785.3
申请日：2007-04-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/265 , C30B25/16 , C30B31/22
摘要： 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法，涉及半导体制造领域。该制备方法包括如下步骤：提供进行沉积反应的沉积装置，其包括进行薄膜沉积的反应室及反应气体流量控制模块；提供半导体衬底，放置于沉积装置的反应室内；在上述反应气体流量控制模块设置气体流量峰值，进行第一预沉积步骤；在反应气体流量达到预设峰值后，进行第二预沉积步骤；进行主沉积步骤；对沉积的多晶硅薄膜进行预设剂量的离子注入。与现有技术相比，本发明的制备方法通过将预沉积步骤分为两步，且通过第一步预沉积过程对反应气体流量的峰值控制来调整调整多晶硅薄膜的阻值，从而提高了半导体器件的精确度。
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公开(公告)号：CN100388425C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610076036.3
申请日：2006-04-24
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425 , C30B31/22 , H01J37/317 , H05H1/00 , H05F3/04
摘要： 本发明公开了一种水冷等离子淋浴器的送气系统，该系统包括一个气瓶、四个气动阀、两个压力表、一个调压阀、一个过滤器、一个质量流量计。本发明结构简单，能保证送气气体的气压恒定，采用气动阀控制气路通断，精密质量流量计控制气流，且设置有氮气口和真空接口，可实现对送气管路的净化清洗。各接口采用高洁净的不锈钢金属密封接头，确保所送气体的高纯度，安全可靠性高，安装调试简单。
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公开(公告)号：CN101174558A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710178682.5
申请日：2007-12-04
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/24 , H01L21/324 , H01L21/268 , C30B31/22
摘要： 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料c－BN薄膜很难实现p型掺杂的困难，实现c－BN薄膜的有效p型掺杂。本发明步骤：(1)使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征c－BN薄膜，这层本征BN薄膜：薄膜厚度为200～800nm；立方相含量在40～95％；电导率在10－9～10－11Ω－1cm－1；(2)选用金属铍离子作为p型掺杂剂，离子注入铍的能量范围为80～200千电子伏特；离子注入铍的剂量范围为5×1015～1×1017ion/cm2。(3)慢速退火：慢速退火温度为600～900℃；恒温时间为40～60分钟。(4)将经过步骤(3)退火的薄膜再进行激光辐照二次杂质激活工艺：退火温度为1000～1050℃，退火时间为20～40秒钟。本发明使立方相含量在40％以上的c－BN薄膜的电导率增大近十万倍。
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公开(公告)号：CN101079375A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200610026759.2
申请日：2006-05-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66 , C30B31/22 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子注入模拟方法，包括：首先，得到不同离子注入剖面的实测注入离子分布曲线；然后，利用TCAD工具，设定模拟函数，拟合所述注入离子分布曲线，得到注入离子分布模拟基础曲线，并获得模拟基础数据；从模拟基础数据中提取模拟参数，通过模拟运算，获得模拟参数数据系列，形成离子注入参数矩阵；利用离子注入参数矩阵，模拟不同离子注入过程，获得注入离子分布系列曲线；最后，通过所述注入离子分布系列曲线得出离子注入参数的变化对注入离子在材料内分布的影响规律。应用本发明方法可提供离子注入工艺控制窗口，优化离子注入工艺设计；同时，减少了模拟运行的时间，提高了工艺设计及生产运行的效率，降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN1873919A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610076036.3
申请日：2006-04-24
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425 , C30B31/22 , H01J37/317 , H05H1/00 , H05F3/04
摘要： 本发明公开了一种水冷等离子淋浴器的送气系统，该系统包括一个气瓶、四个气动阀、两个压力表、一个调压阀、一个过滤器、一个质量流量计。本发明结构简单，能保证送气气体的气压恒定，采用气动阀控制气路通断，精密质量流量计控制气流，且设置有氮气口和真空接口，可实现对送气管路的净化清洗。各接口采用高洁净的不锈钢金属密封接头，确保所送气体的高纯度，安全可靠性高，安装调试简单。
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公开(公告)号：CN1845292A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610009999.1
申请日：2006-04-30
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , C30B31/22 , C23C14/48
摘要： 磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，涉及一种离子注入装置。传统的高压脉冲自激发产生等离子体方式中存在注入效应小、有延时的问题。磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，它包括真空室(1)，在真空室(1)内放置待加工工件(3)，待加工工件(3)与电源连接，在待加工工件(3)附近设置能与其产生“电场和磁场耦合效应”的磁铁(4)。对本发明所述待加工工件施加脉冲时，由于电场和磁场的耦合效应，等离子体产生就变得容易，于是延时减少、等离子体密度增加，注入效应得到增强。本发明所述方法简单可行，经实验证明具有极佳的效果，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1832100A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610076035.9
申请日：2006-04-24
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , C30B31/22
摘要： 本发明公开了一种离子注入机的一维机械扫描装置，包括靶台、伺服电机和线性运动推动机构，线性运动推动机构的连杆和摆动扫描从动臂的两端分别与靶台和固定座活动连接，构成平行四边形，摆动扫描从动臂的固定座一端与摆动扫描驱动臂的一端固定连接，摆动扫描驱动臂的另一端与线性驱动机构活动连接，线性驱动机构通过丝杆副与伺服电机连接。本发明消除了机械扫描对系统真空的影响，具有结构简单，成本低，扫描精准度高的特点。
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公开(公告)号：CN1194380C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN01806781.6
申请日：2001-04-03
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , C30B31/22
CPC分类号： H01L21/76243 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/26533
摘要： 本发明公开了一种采用SIMOX技术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的SOI材料。本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。
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