一种主从式集中控制体系结构

    公开(公告)号:CN1851044A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200510066336.9

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: C23C14/54 C23C14/48

    摘要: 本实用新型公开了一种主从式集中控制体系结构,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:一个主控制器、一个以上子控制器及主控计算机,所述的主控制器通过双向光纤一端与主控计算机连接,另一端与子控制器串行连接;所述的主控制器为双端口控制器;所述的子控制器可以包括高电位子控制器和地电位子控制器,各个高电位子控制器之间用光纤串连,各个地电位子控制器之间用光纤串连。本实用新型抗干扰性能强、稳定性和可靠性高。

    一种离子注入均匀性控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN100524628C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200510066337.3

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: H01L21/265 H01J37/317

    摘要: 本发明公开了一种离子注入均匀性控制系统及控制方法,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该系统包括移动法拉第杯、剂量积分检测器、数控扫描发生器、靶台运动和均匀性控制器和计算机,所述的移动法拉第杯输出与剂量积分检测器连接;所述的剂量积分检测器输出与靶台运动和均匀性控制器连接;所述的移动法拉第杯、剂量积分检测器、数控扫描发生器、靶台运动和均匀性控制器均与计算机连接,由计算机协调动作并进行控制;均匀性控制方法包括水平均匀性检测与修正方法和垂直均匀性检测与修正方法,均通过检测扫描数据、多次修正数据来使得均匀性达到误差范围。本发明能够自动实现离子注入剂量的精确检测、自动调整和剂量均匀性控制。

    一种离子注入均匀性控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN1851867A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200510066337.3

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: H01L21/265 H01J37/317

    摘要: 本发明公开了一种离子注入均匀性控制系统及控制方法,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该系统包括移动法拉第杯、剂量积分检测器、数控扫描发生器、靶台运动和均匀性控制器和计算机,所述的移动法拉第杯输出与剂量积分检测器连接;所述的剂量积分检测器输出与靶台运动和均匀性控制器连接;所述的移动法拉第杯、剂量积分检测器、数控扫描发生器、靶台运动和均匀性控制器均与计算机连接,由计算机协调动作并进行控制;均匀性控制方法包括水平均匀性检测与修正方法和垂直均匀性检测与修正方法,均通过检测扫描数据、多次修正数据来使得均匀性达到误差范围。本发明能够自动实现离子注入剂量的精确检测、自动调整和剂量均匀性控制。

    离子源磁场发生装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2779595Y

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:CN200520011273.2

    申请日:2005-03-31

    发明人: 郭建辉

    IPC分类号: H01J27/02 H01J37/08

    摘要: 本实用新型公开了一种离子源磁场发生装置,该装置由两个屏蔽筒、四个磁场线包、两个磁极、一个磁轭、两个线包保护筒组成,所述的两磁极极面平行,所述的屏蔽筒安装于磁极线包外侧,所述的磁轭为连接磁极的软铁,与磁极形成磁回路,所述的线包保护筒为铝制材料,安装于线包外侧。本实用新型具有如下优点:(1)采用线包电磁铁工作方式,(2)产生的离子源磁场可调节,方便与放电室其他参数进行匹配,使离子源工作在最佳的工作状态,(3)线包水冷,工作稳定、可靠。

    晶片定位装置
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2788352Y

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200520017094.X

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: H01L21/68 H01L21/265

    摘要: 本实用新型公开了一种晶片定位装置,属于半导体器件制造领域。所述的晶片定位装置由主控制器(1),电机控制电路板(2),电机驱动电路板(3),波形过滤电路板(5),光幕传感器(6),编码信号反馈装置(7)组成。通过主控制器(1)的人机对话界面输入参数值控制编码电机的运行模式和启停;编码电机(4)反馈的编码信号经过编码信号反馈装置(7)传送至电机控制电路板(2),电机控制电路板(2)经过分析比较后将信号传送至电机驱动电路板(3),最终驱动编码电机(4)带动晶片旋转。同时通过光幕传感器(6)检测晶片边缘的波形变化,由波形过滤电路板(5)过滤后传送至电机控制电路板(2),最终返回给主控制器(1)检测到晶片的缺口位置。

    一种靶室片库充氮装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2788351Y

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200520017085.0

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: H01L21/265 H01J37/317

    摘要: 本实用新型公开了一种靶室片库充氮装置,其包括:一小法兰、一光滑放气板、一粗糙放气板、三个连接螺柱、一大法兰、一O型圈,其中光滑放气板与大法兰通过连接螺柱连接,粗糙放气板固定在小法兰上,中间设置有O型圈,小法兰和大法兰连接,大法兰通过挂钩螺钉固定在片库上。本实用新型能够使氮气在充入靶室片库的过程中,不对晶片正面方向,而从晶片四周缓慢地流入,过滤工业氮气中颗粒比较大的微粒,避免了晶片在充氮的过程中低能粒子的污染。

    防污染离子分析器
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2796095Y

    公开(公告)日:2006-07-12

    申请号:CN200520011262.4

    申请日:2005-03-31

    发明人: 郭建辉

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本实用新型公开了一种防污染离子分析器,属于半导体器件制造领域。所述的离子分析器出口(9)上部金属管壁(2)的内壁上设有活动盖板(4),该活动盖板(4)上固定有石墨条(5),活动盖板(4)采用螺钉固定于金属管壁(2)上;在离子分析器出口(9)下部金属管壁(2)的内壁上安装有长石墨板(6)和短石墨板(7),并由若干弹簧卡紧装置(11)固定;弹簧卡紧装置(11)一端固定在侧壁(11)上,另一自由端与长石墨板(6)和短石墨板(7)相接触。采用本实用新型可有效防止离子束碰撞轰击金属管壁(2)产生金属粒子而造成半导体器件污染,并且石墨板安装简便,维护方便。

    机械手换向控制装置
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2794775Y

    公开(公告)日:2006-07-12

    申请号:CN200520017080.8

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: B25J13/00 C23C14/48

    摘要: 本实用新型公开了机械手换向控制装置,属于半导体器件制造领域。所述的机械手换向控制装置包括制动气缸(1),旋转轴(2),“L”形旋转件(3),限位柱(4),机械手(5),回转盘(6)和机械手移动架(7)。旋转轴(2)穿过“L”形旋转件(3)的圆孔安装于机械手移动架(7)上,并可借助弹力回复原位,“L”形旋转件(3)安装于旋转轴(2)上。当制动气缸(1)上升时,顶起“L”形旋转件(3)下部下表面,使“L”形旋转件(3)上部内侧面脱离限位柱(4),此时,机械手(5)便可绕回转盘(6)做旋转运动。当制动气缸(1)下降时,“L”形旋转件(3)回复原位,“L”形旋转件(3)上部内侧面压紧限位柱(4),机械手(5)便做直线运动。

    一种高压继电器
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2788340Y

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200520017084.6

    申请日:2005-04-22

    IPC分类号: H01H35/38 H01H3/24

    摘要: 本实用新型公开了一种高压继电器,包括:一绝缘外壳、一驱动气缸、一驱动摆杆、一摆动连杆和一组或一组以上继电器触点单元,每组继电器触点单元包括一动片、一动片触点、一常闭触点和一常开触点;所述的驱动气缸、驱动摆杆、动片触点、常闭触点和常开触点均设置在绝缘外壳上;所述的驱动摆杆一端与驱动气缸的活塞轴连接,另一端与摆动连杆连接;所述的动片均安装在驱动摆杆上;所述的动片触点与动片连接;所述的动片在不同角度可以分别与常闭触点和常开触点接触。本实用新型采用压缩空气驱动,结构简单,且绝缘能力高,引线触点之间可承受几万伏高压。