公开(公告)号：CN101174558A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710178682.5

申请日：2007-12-04

申请人： 北京工业大学

发明人： 邓金祥 ,  陈光华 ,  何斌 ,  张晓康 ,  陈浩

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24 ,  H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  C30B31/22

摘要： 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料c－BN薄膜很难实现p型掺杂的困难，实现c－BN薄膜的有效p型掺杂。本发明步骤：(1)使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征c－BN薄膜，这层本征BN薄膜：薄膜厚度为200～800nm；立方相含量在40～95％；电导率在10－9～10－11Ω－1cm－1；(2)选用金属铍离子作为p型掺杂剂，离子注入铍的能量范围为80～200千电子伏特；离子注入铍的剂量范围为5×1015～1×1017ion/cm2。(3)慢速退火：慢速退火温度为600～900℃；恒温时间为40～60分钟。(4)将经过步骤(3)退火的薄膜再进行激光辐照二次杂质激活工艺：退火温度为1000～1050℃，退火时间为20～40秒钟。本发明使立方相含量在40％以上的c－BN薄膜的电导率增大近十万倍。

公开(公告)号：CN1588616A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410069247.5

申请日：2004-07-16

申请人： 北京工业大学

发明人： 臧竞存 ,  邹玉林 ,  迟静 ,  何斌 ,  翟琳

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法涉及半导体发光材料的制备工艺。寻找适宜的衬底材料成为制备高质量ZnO薄膜的关键。现有衬底材料为玻璃、硅单晶、白宝石、石英、氧化锌陶瓷基片和ScAlMgO4(0001)，或因晶格失配率高，或因成分相差太大，造成薄膜晶体结构缺陷大量存在。本发明特征在于，它包括以下步骤：生长出位错密度低于400/cm2钨酸锌单晶；将上述钨酸锌单晶晶体定向，切割出(100)晶面，偏差小于1°；加工(100)晶面，平整度＜λ/4，λ＝633nm，粗糙度＜10nm；制备ZnO薄膜。本发明采用溶胶凝胶法制备的氧化锌薄膜具有特别优良的结构特性，表面平滑，取向性好，发光性能良好，光致发光波长396nm，如图所示；易于ZnO薄膜取向，并垂直(0001)晶面沿c方向生长。

公开(公告)号：CN100483626C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200710178682.5

申请日：2007-12-04

申请人： 北京工业大学

发明人： 邓金祥 ,  陈光华 ,  何斌 ,  张晓康 ,  陈浩

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24 ,  H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  C30B31/22

摘要： 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料c-BN薄膜很难实现p型掺杂的困难，实现c-BN薄膜的有效p型掺杂。本发明步骤：(1)使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征c-BN薄膜，这层本征BN薄膜：薄膜厚度为200～800nm；立方相含量在40～95%；电导率在10-9～10-11Ω-1cm-1；(2)选用金属铍离子作为p型掺杂剂，离子注入铍的能量范围为80～200千电子伏特；离子注入铍的剂量范围为5×1015～1×1017ion/cm2。(3)慢速退火：慢速退火温度为600～900℃；恒温时间为40～60分钟。(4)将经过步骤(3)退火的薄膜再进行激光辐照二次杂质激活工艺：退火温度为1000～1050℃，退火时间为20～40秒钟。本发明使立方相含量在40%以上的c-BN薄膜的电导率增大近十万倍。