水冷等离子淋浴器

发明授权

CN100468632C 水冷等离子淋浴器失效 - 权利终止

专利标题： 水冷等离子淋浴器
专利标题（英）： Water-cooling plasma shower
申请号： CN200610065122.4

申请日： 2006-03-17
公开(公告)号： CN100468632C

公开(公告)日： 2009-03-11
发明人: 唐景庭 , 彭立波 , 谢均宇 , 罗宏洋
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
申请人地址： 北京市海淀区复兴路乙20号汇通商务楼北门44号办公楼2层东段
专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
当前专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
当前专利权人地址： 北京市海淀区复兴路乙20号汇通商务楼北门44号办公楼2层东段
代理机构： 北京中海智圣知识产权代理有限公司
代理商 胡静; 曾永珠
主分类号： H01L21/265
IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/425 ; C30B31/22 ; H01J37/317 ; H05H1/00 ; H05F3/04

摘要：

本发明提供一种等离子淋浴器，能够产生中和用电子，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）
H01L21/265	......产生离子注入的