公开(公告)号：CN1194380C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN01806781.6

申请日：2001-04-03

申请人： 北京师范大学

发明人： 卢志恒 ,  罗晏 ,  周宏余

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22

CPC分类号： H01L21/76243 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/26533

摘要： 本发明公开了一种采用SIMOX技术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的SOI材料。本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。

公开(公告)号：CN1432191A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN01806781.6

申请日：2001-04-03

申请人： 北京师范大学

发明人： 卢志恒 ,  罗晏 ,  周宏余

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22

CPC分类号： H01L21/76243 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/26533

摘要： 本发明公开了一种采用SIMOX技术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的SOI材料。本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。