公开(公告)号：CN104465341A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410738255.8

申请日：2014-12-05

申请人： 北京科技大学

发明人： 刘金龙 ,  李成明 ,  陈良贤 ,  化称意 ,  郭建超 ,  闫雄伯 ,  黑立富 ,  魏俊俊

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/223

CPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/223

摘要： 一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P-N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P-N结结构，方便基于P-N结型金刚石微电子器件的制作。

公开(公告)号：CN104332391A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410440311.X

申请日：2014-09-01

申请人： 北京大学

发明人： 仲东来 ,  张志勇 ,  彭练矛 ,  王胜

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  C01B31/02

CPC分类号： H01L21/02 ,  C01B32/158 ,  H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法。本发明采用多次蒸胶烧胶的办法，可以使得胶的开口分布在100～200nm，就可以去除密度大于10根/μm的碳纳米管阵列在金属性碳纳米管阵列，从而得到密度较高，大于10根/μm的全半导体碳纳米管阵列；可以将金属性碳纳米管完全去除，得到纯度100％的半导体碳纳米管阵列；获得的半导体碳纳米管电学性能更好，不需要化学修饰碳纳米管，不会引入缺陷，得到的碳纳米管比较干净，所以迁移率更高(可达2000cm2/Vs)，高密度高迁移率使得晶体管开态电流更大，可以制备高性能碳纳米管集成电路。

公开(公告)号：CN103972282A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043930.5

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布斯克 ,  C.耶格 ,  J.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及反向阻断半导体器件和制造反向阻断半导体器件的方法。一种反向阻断半导体器件包括第一导电类型的基极区域和第二、互补导电类型的本体区域，其中基极区域和本体区域形成pn结。在基极区域和集电极之间布置包括第二导电类型的发射极区和至少一个第一导电类型的沟道的发射极层。沟道延伸通过在基极区域和集电极之间的发射极层并且在正向阻断状态中减小泄漏电流。

公开(公告)号：CN103972281A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043926.9

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明涉及包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件的半导体部分包括：半导体层，具有第一导电类型的漂移区和第二相反导电类型的至少一个杂质区。杂质区与元件区域中的半导体部分的第一表面邻接。连接层与第一表面相对地与半导体层直接邻接。在相对于第一表面的一定距离，过补偿区形成在包围元件区域的边缘区域中。过补偿区和连接层具有相反的导电类型。沿垂直于第一表面的方向，漂移区的一部分布置在第一表面和过补偿区之间。在局部高电流密度的情况下，过补偿区将局部抵消电场强度的进一步增加并且降低雪崩击穿的风险的电荷载流子注入到半导体层中。

公开(公告)号：CN103426905A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181415.9

申请日：2013-05-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： M.普拉佩特 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02595 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/04 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法。根据实施例，一种半导体结构，包括：第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；以及金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分相接触。

公开(公告)号：CN108878268A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810759564.1

申请日：2018-07-11

申请人： 山东傲天环保科技有限公司

发明人： 孙德瑞 ,  侯新祥 ,  柳鸿亮

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/02373 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供了一种镶嵌式石墨烯PN结的制造方法，在铜衬底上，通过掩膜和离子注入结构形成六边形成不同掺杂类型的镶嵌式金属合金掺杂结构，通过化学气相沉积形成镶嵌式石墨烯PN结，使石墨烯PN结具有较大的结区面积，石墨烯PN掺杂区域的掺杂深度高；制作工艺简单。

公开(公告)号：CN108028179A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054333.X

申请日：2016-09-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 程睿 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  H01L21/04

摘要： 用于通过将基板表面暴露于硼烷前驱物而在基板表面上形成碳化硼膜的方法。碳化硼膜任选地包含氮和/或氢。碳化硼膜可沉积在大体上不包含硼的表面上。硼烷前驱物可以包括具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C1‑C10烷基、C1‑C10烯基和芳基。

公开(公告)号：CN103972282B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410043930.5

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布斯克 ,  C.耶格 ,  J.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及反向阻断半导体器件和制造反向阻断半导体器件的方法。一种反向阻断半导体器件包括第一导电类型的基极区域和第二、互补导电类型的本体区域，其中基极区域和本体区域形成pn结。在基极区域和集电极之间布置包括第二导电类型的发射极区和至少一个第一导电类型的沟道的发射极层。沟道延伸通过在基极区域和集电极之间的发射极层并且在正向阻断状态中减小泄漏电流。

公开(公告)号：CN102870197B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180020190.8

申请日：2011-04-22

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/18

CPC分类号： H01L31/0288 ,  C03C3/097 ,  C03C8/18 ,  H01L21/04 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的n型扩散层形成组合物含有：含给体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该n型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造n型扩散层和具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN102844144B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180019273.5

申请日：2011-02-21

申请人： 欧洲激光系统和解决方案公司

发明人： 埃尔韦·贝斯奥塞勒 ,  布鲁诺·戈达德 ,  西里尔·迪唐

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L21/04 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0673 ,  B23K26/073 ,  G02B27/0955 ,  H01L21/268

摘要： 本发明涉及一种用于对半导体材料进行照射的装置，该装置包括：一个激光器，该激光器产生一个主激光束；一个光学系统；以及一种用于为该主激光束确定形状的装置，该确定形状的装置包括多个孔径，这些孔径用于将该主激光束的形状确定为多个次级激光束；其特征在于，这些单独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的一个公共区域的形状和/或大小，并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。另外，本发明涉及此类装置在制造半导体器件中的用途。