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公开(公告)号：CN103276265B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310231261.X
申请日：2013-06-09
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明提供一种金刚石自支撑膜-金刚石颗粒-金属复合材料的制备方法，首先将金刚石自支撑膜激光切割成形，对金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条表面镀覆金属过渡层，其后将铜粉和金刚石颗粒进行混合均匀，在所需的散热体形状的模具中将金刚石自支撑膜条规则埋放铜粉和金刚石颗粒的混料中，然后进行热压成型和表面加工；得到所述复合材料。本发明的主要优点在于在金刚石自支撑膜条的方向热导率增加显著，同时金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条表面的金属过渡层，通过烧结后改善了金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条与铜的浸润性，减小铜与金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条之间的界面热阻，提高复合材料的强度。
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公开(公告)号：CN104328390B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410498719.2
申请日：2014-09-25
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/513
摘要： 一种GaN/金刚石膜复合片的制备方法，属于半导体基础电路用基体材料制备领域。通过喷射电弧等离子体对GaN的湮没钝化实现高导热金刚石的直接生长，工艺步骤为：a.利用喷射电弧等离子体激活的碳原子基团CH*、CH2*和CH3*对GaN衬底进行轰击，实现表面湮没钝化，形成碳注入GaN结构；b.等离子体中引入氮源实现氮离子或原子在GaN表面高浓度吸附，避免GaN分解；c.以GaN中建立的碳?碳键网络为基础，利用含碳基团的快速输运，实现无界面高导热金刚石膜的高密度形核和生长；d.沉积结束后，利用等离子体原位加热GaN/金刚石膜复合片，缓解金刚石膜快速生长过程中的生长应力；e.对于非自支撑GaN单晶，需去除衬底及真空退火消除残余应力。
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公开(公告)号：CN103276265A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310231261.X
申请日：2013-06-09
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明提供一种金刚石自支撑膜-金刚石颗粒-金属复合材料的制备方法，首先将金刚石自支撑膜激光切割成形，对金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条表面镀覆金属过渡层，其后将铜粉和金刚石颗粒进行混合均匀，在所需的散热体形状的模具中将金刚石自支撑膜条规则埋放铜粉和金刚石颗粒的混料中，然后进行热压成型和表面加工；得到所述复合材料。本发明的主要优点在于在金刚石自支撑膜条的方向热导率增加显著，同时金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条表面的金属过渡层，通过烧结后改善了金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条与铜的浸润性，减小铜与金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条之间的界面热阻，提高复合材料的强度。
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公开(公告)号：CN104465341A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410738255.8
申请日：2014-12-05
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/223
CPC分类号： H01L21/04 , H01L21/223
摘要： 一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P-N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P-N结结构，方便基于P-N结型金刚石微电子器件的制作。
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公开(公告)号：CN104465341B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410738255.8
申请日：2014-12-05
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/223
摘要： 一种金刚石膜表面选区扩散形成P‑N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P‑N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P‑N结结构，方便基于P‑N结型金刚石微电子器件的制作。
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公开(公告)号：CN104328390A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410498719.2
申请日：2014-09-25
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56
摘要： 一种GaN/金刚石膜复合片的制备方法，属于半导体基础电路用基体材料制备领域。通过喷射电弧等离子体对GaN的湮没钝化实现高导热金刚石的直接生长，工艺步骤为：a.利用喷射电弧等离子体激活的碳原子基团CH*、CH2*和CH3*对GaN衬底进行轰击，实现表面湮没钝化，形成碳注入GaN结构；b.等离子体中引入氮源实现氮离子或原子在GaN表面高浓度吸附，避免GaN分解；c.以GaN中建立的碳-碳键网络为基础，利用含碳基团的快速输运，实现无界面高导热金刚石膜的高密度形核和生长；d.沉积结束后，利用等离子体原位加热GaN/金刚石膜复合片，缓解金刚石膜快速生长过程中的生长应力；e.对于非自支撑GaN单晶，需去除衬底及真空退火消除残余应力。
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