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公开(公告)号：CN107840332A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711084169.X
申请日：2017-11-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/28
Abstract: 生物应用的羟基终端纳米金刚石的高效终端化制备方法，属于生物及医药用功能化基本材料制备领域。工艺步骤为：a.采用混合酸酸洗并用去离子水清洗纳米金刚石粉悬浊液至中性；b.将纳米金刚石粉与四氢铝锂溶于四氢呋喃的溶液加入高温反应釜内胆至容积的60％-90％；c.封闭高温反应釜外层钢套并置于恒温加热箱，并保持恒温；d.达保温时间后，待冷却取出反应后溶液，加入盐酸，其不与金刚石及四氢呋喃反应而是用于溶解金属离子；e.离心分离并多次去离子水清洗纳米金刚石粉至中性无酸残留；f.丙酮清洗后乙醇超声清洗制得羟基终端纳米金刚石悬浊液，从而得到分散纯净的高质量羟基终端纳米金刚石。本发明方法方便简单，反应速率快，在同比例体积溶液下能够实现更多纳米金刚石粉末的终端化。
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公开(公告)号：CN105525274A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610052136.6
申请日：2016-01-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的石英钟罩，所述石英钟罩，为下端圆柱形筒，上端为带有多个石英圆环的半球形封口；所述石英圆环呈水平阵列分布于半球形封口的中下部，且石英圆环的外径与圆柱形筒的外径相同，在外加风冷的条件下，该石英圆环起到增加散热的作用。应用本发明在微波等离子体化学气相沉积的过程中，能有效提高石英钟罩的散热能力，降低石英钟罩的温度，减缓活性基团在半球形封口内表面上的沉积，降低沉积物对等离子体放电的影响及对试样污染的倾向，有时降低石英钟罩温度，也会减轻等离子体对石英钟罩的刻蚀，采用本发明可适当提高输入的微波功率，提高试样的沉积速率和质量。
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公开(公告)号：CN103276265B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310231261.X
申请日：2013-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石自支撑膜-金刚石颗粒-金属复合材料的制备方法，首先将金刚石自支撑膜激光切割成形，对金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条表面镀覆金属过渡层，其后将铜粉和金刚石颗粒进行混合均匀，在所需的散热体形状的模具中将金刚石自支撑膜条规则埋放铜粉和金刚石颗粒的混料中，然后进行热压成型和表面加工；得到所述复合材料。本发明的主要优点在于在金刚石自支撑膜条的方向热导率增加显著，同时金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条表面的金属过渡层，通过烧结后改善了金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条与铜的浸润性，减小铜与金刚石颗粒和金刚石自支撑膜条之间的界面热阻，提高复合材料的强度。
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公开(公告)号：CN103192324A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310150661.8
申请日：2013-04-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: B24B57/04
Abstract: 一种研磨抛光机的磨料自动添加装置，属于材料表面加工领域。包括储粉罐导流管、筛网、震动电机、偏心震子、固定装置、导线、时间控制器；导流管一端通过板牙形成M6螺纹，与储粉罐形成配合连接；筛网通过自锁带固定在导流管另一端，震动电机通过固定装置固定在导流管外侧，随着偏心震子的转动带动震动电机产生震动，从而使得整个加粉装置产生震动；震动电机通过导线连接时间控制器。本发明结构简单，体积小，只要对铜筛网进行更换即可实现不同粉料的添加，磨料添加量及频率可任意调节，并可在时间控制器上显示，非常方便、直观。通过调节时间控制器控制震动电机的震动频率及占空比，能使得研磨效率和磨料消耗比实现最大化。
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公开(公告)号：CN102861917A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210385129.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖强结合CVD金刚石层的聚晶金刚石复合片及其制备方法，属于材料、机械以及工具领域。本发明通过向聚晶金刚石层中植入形核面朝外的CVD金刚石小圆柱，使得用直流电弧等离子体CVD技术能够在聚晶金刚石层表面沉积出强结合、高质量的CVD金刚石层。经覆盖强结合CVD金刚石层后，新型的聚晶金刚石复合片的耐高温性和耐磨性将得到很大程度的提升，改进后的聚晶金刚石复合片将更适应于石油与地质钻探和机械加工领域越来越高的钻探效率和加工效率要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102699804A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210196311.0
申请日：2012-06-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: B24B29/02
Abstract: 一种金刚石自支撑膜表面平整化的方法，属于金刚石自支撑膜应用技术领域。本发明使用耐高温的覆盖剂和溶剂混合，涂覆在凸凹不平的金刚石膜表面，然后物理的方法将金刚石膜表面凸出部位的覆盖剂去除，固化后将金刚石膜放置在通入一定比例的氧气氛热处理炉中一定时间，暴露的金刚石膜与氧气反应刻蚀，使得凸出的金刚石部分有效快速氧化，最后用机械抛光方法将金刚石自支撑膜抛光获得所要求的表面粗糙度。本方法简便易实施，行之有效，在快速平整化的同时，不减少金刚石自支撑膜的有效厚度，仅将突出部位快速去除，使得表面粗糙度减少，有利于进一步的研磨和抛光，并有效避免由于生长凸出晶粒在大压力快速研磨中可能造成的微裂纹。
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公开(公告)号：CN107604324B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710861985.0
申请日：2017-09-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种用于离子传感器的氢终端金刚石表面电化学修复方法，属于半导体基础电路用基体材料制备领域。具体步骤为：a.利用氢气等离子体处理，使金刚石形成表面p型导电沟道，使其实现半导体化；b.采用真空蒸镀的方法在其光刻显影后的金刚石表面制备特定图案的电极，使氢终端金刚石实现电导通；c.将导线通过融焊法或银浆与金电极联结；d.在电极和导线上覆盖一层硅胶保护涂层，避免金属在强腐蚀酸碱溶液中受到损伤；e.将金刚石导线接于工作电极与对电极间，在不同离子溶液下模拟实际环境测试；f.将测试后的金刚石作为工作电极置于强无机酸溶液中，对其进行0～‑3V的负电位线性扫描。最终实现由于表面终端损伤而电阻升高的金刚石表面氢终端得到修复，使表面电阻下降。
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公开(公告)号：CN105331948B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510623007.3
申请日：2015-09-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/503 , C23C16/02
Abstract: 一种表面P型导电金刚石热沉材料的制备制备方法，属于金刚石自支撑膜应用技术领域。本发明以抛光的自支撑金刚石厚膜为基底，经微波氢等离子体表面处理后再沉积一层薄的具有P型导电能力的掺硼金刚石薄膜。由于属于同质外延生长，因此外延的导电层与衬底具有极佳的附着，界面热阻可减小到最低；微波CVD技术制备掺硼金刚石膜层，厚度可控、表面粗糙度低、膜层电导率高；中间采用氢等离子体处理基底表面，可对基底进行原子尺度的清洁，形成的氢悬挂键更有利于掺硼金刚石膜的外延生长。这种表面P型导电金刚石热沉材料可用于某些需要热沉材料表面导电的高功率电子器件封装领域。
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公开(公告)号：CN102699804B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210196311.0
申请日：2012-06-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: B24B29/02
Abstract: 一种金刚石自支撑膜表面平整化的方法，属于金刚石自支撑膜应用技术领域。本发明使用耐高温的覆盖剂和溶剂混合，涂覆在凸凹不平的金刚石膜表面，然后物理的方法将金刚石膜表面凸出部位的覆盖剂去除，固化后将金刚石膜放置在通入一定比例的氧气氛热处理炉中一定时间，暴露的金刚石膜与氧气反应刻蚀，使得凸出的金刚石部分有效快速氧化，最后用机械抛光方法将金刚石自支撑膜抛光获得所要求的表面粗糙度。本方法简便易实施，行之有效，在快速平整化的同时，不减少金刚石自支撑膜的有效厚度，仅将突出部位快速去除，使得表面粗糙度减少，有利于进一步的研磨和抛光，并有效避免由于生长凸出晶粒在大压力快速研磨中可能造成的微裂纹。
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公开(公告)号：CN104465341A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410738255.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/223
CPC classification number: H01L21/04 , H01L21/223
Abstract: 一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P-N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P-N结结构，方便基于P-N结型金刚石微电子器件的制作。
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