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公开(公告)号：CN119813961A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411855366.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明涉及一种倍频器电路，涉及半导体集成领域，倍频器电路包括碳纳米管肖特基二极管对、射频输入匹配网络、射频输出匹配网络、第一开路枝节、第一短路枝节、第二开路枝节和第二短路枝节；射频输入匹配网络的输出端分别与第一开路枝节的输入端和第一短路枝节的输入端连接，第一开路枝节的输出端悬空，第一短路枝节的输出端接地，碳纳米管肖特基二极管对的输入端与射频输入匹配网络的输出端连接，碳纳米管肖特基二极管对的输出端与射频输出匹配网络的输入端连接，射频输出匹配网络的输入端分别与第二开路枝节和第二短路枝节的输入端连接，第二开路枝节的输出端悬空，第二短路枝节的输出端接地。该倍频器电路可以增强输出信号的强度。
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公开(公告)号：CN114637457B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210305790.9
申请日：2022-03-25
Abstract: 本公开提供了一种自适应读出电路系统，包括：信号放大器，信号放大器包括增益控制器，信号放大器接收被提供偏置电压和栅极电压的晶体管传感器的电流输出信号，信号放大器基于增益控制器的增益控制电阻生成放大电压信号；信号处理装置，信号处理装置基于放大电压信号、偏置电压、栅极电压及增益控制器的增益控制电阻的阻值获取晶体管传感器的电阻值；信号处理装置对放大电压信号的大小进行判断，并基于判断结果生成或不生成用于控制增益控制电阻的阻值的控制信号，以调整或不调整信号放大器的信号增益。本公开还提供一种监测装置。
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公开(公告)号：CN115372439B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210398241.0
申请日：2022-04-15
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: G01N27/414 , C12Q1/6813
Abstract: 本公开提供一种场效应晶体管生物传感器，其包括：基底层，沟道层，第一电极，第二电极，第三电极，混合探针层，连接质，第三电极包括沟道层与栅介质层，混合探针层包括至少一种混合探针分子，每个混合探针分子包括多个不同种类的探针分子；每个混合探针分子与目标溶液中的一个目标分子进行杂交反应，并且杂交反应包括混合探针分子的多个不同种类的探针分子与一个目标分子均进行杂交反应。
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公开(公告)号：CN113782674B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010515970.0
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管射频器件，包括：沟道层，沟道层由碳纳米管形成；以及衬底层，沟道层设置在衬底层上，其中，衬底层的与沟道层接触的表面形成有极性基团，碳纳米管至少通过衬底层的表面的极性基团设置在衬底层上。本公开还提供了一种碳纳米管射频器件的制造方法以及一种集成电路系统。
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公开(公告)号：CN116865679A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210303276.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种基于碳纳米管肖特基二极管的单平衡混频器电路，包括如下结构：碳纳米管肖特基二极管一端与180°混合结结构相连，一端与扇形开路线结构相连；射频输入阻抗匹配网络位于射频输入端口与180°混合结之间；本振输入阻抗匹配网络位于本振输入端口与180°混合结之间；扇形开路线结构位于碳纳米管肖特基二极管器件与1/4波长高阻抗微带线之间；1/4波长高阻抗微带线位于扇形开路线结构与空气桥之间；空气桥横跨在射频输入阻抗匹配网络之上；薄膜电阻和平板电容连接在中频输出线路上。本发明提供的混频器电路在高频频段可以实现更低的变频损耗，并且大幅降低了肖特基二极管器件的寄生电容以及无源器件的衬底损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116828867A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210273936.6
申请日：2022-03-19
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法以及CMOS反相器。该背栅场效应晶体管包括第一介质层；背栅结构，包括栅介质层与背栅电极；半导体有源层，设置于栅介质层远离第一介质层的一侧；阈值调控层，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧；第二介质层；源电极和源电极，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧并贯穿第二介质层、阈值调控层与半导体有源层接触；第三介质层，设置在第二介质层远离阈值调控层的表面，源电极与漏电极嵌设在第三介质层之内，以阈值调控层、第二介质层和第三介质层间隔开来。根据本发明的背栅场效应晶体管能够降低源漏电极边缘与碳纳米管沟道交界处的电场强度，从而抑制漏电极的反向隧穿电流。
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公开(公告)号：CN115666137A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211269092.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了以碳纳米管为沟道的MOS变容管，包括：MOS结构，MOS结构包括栅电极和栅介质；以及半导体性的碳纳米管薄膜，半导体性的碳纳米管薄膜作为MOS结构的沟道材料；其中，通过调整施加在MOS结构的栅电极上的电压对碳纳米管薄膜的碳纳米管电容进行调制以实现对MOS变容管的总电容的调制。本公开还提供了MOS变容管的制备方法及集成电路。
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公开(公告)号：CN115411102A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210976880.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种冷源晶体管器件，其包括：基底层，冷源层，所述冷源层设置于所述基底层；其中，所述冷源层通过可打开带隙的冷源材料制备；过渡区，所述过渡区设置于所述基底层，并且与所述冷源层连接；沟道层，所述沟道层设置于所述基底层，并且与所述过渡区连接；第一栅介质层，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述沟道层的部分，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述过渡区的部分；以及第一栅电极，所述第一栅电极设置于所述第一栅介质层。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN114824086A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447049.6
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种晶体管，其包括：衬底层；半导体沟道区，半导体沟道区形成于衬底层的上方；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成于半导体沟道区，并且第一电极和第二电极之间间隔预设距离；栅介质层，栅介质层至少形成于第一电极和第二电极的相对的表面；以及栅电极，栅电极设置于第一电极和第二电极之间，并使得栅电极与第一电极之间，以及栅电极与第二电极之间均存在栅介质层；其中，衬底层形成有凹陷部，凹陷部具有底表面，半导体沟道区的下表面与凹陷部的底表面之间具有预设距离，或者半导体沟道区的部分与凹陷部的底表面接触。本公开还提供一种晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN114637457A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210305790.9
申请日：2022-03-25
Abstract: 本公开提供了一种自适应读出电路系统，包括：信号放大器，信号放大器包括增益控制器，信号放大器接收被提供偏置电压和栅极电压的晶体管传感器的电流输出信号，信号放大器基于增益控制器的增益控制电阻生成放大电压信号；信号处理装置，信号处理装置基于放大电压信号、偏置电压、栅极电压及增益控制器的增益控制电阻的阻值获取晶体管传感器的电阻值；信号处理装置对放大电压信号的大小进行判断，并基于判断结果生成或不生成用于控制增益控制电阻的阻值的控制信号，以调整或不调整信号放大器的信号增益。本公开还提供一种监测装置。
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