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公开(公告)号：CN115000300A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210267774.5
申请日：2022-03-17
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院
Abstract: 本公开提供一种具有自对准源漏场板结构的碳纳米管器件，包括：第一介质层；碳纳米管有源层，设置在第一介质层之上以作为碳纳米管器件的沟道层；源漏接触层，设置在碳纳米管有源层之上；源漏导电层，设置在源漏接触层之上；第二介质层，设置在源漏导电层之上；其中，源漏接触层内形成有接触层去除区，源漏导电层内形成有导电层去除区，接触层去除区位于导电层去除区的下方，接触层去除区的尺寸大于导电层去除区的尺寸，以使得源漏导电层与源漏接触层形成源漏场板结构。本公开还提供一种碳纳米管器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN113782674A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010515970.0
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管射频器件，包括：沟道层，沟道层由碳纳米管形成；以及衬底层，沟道层设置在衬底层上，其中，衬底层的与沟道层接触的表面形成有极性基团，碳纳米管至少通过衬底层的表面的极性基团设置在衬底层上。本公开还提供了一种碳纳米管射频器件的制造方法以及一种集成电路系统。
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公开(公告)号：CN111384361B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811633675.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/137 , H01M4/1399 , H01M4/60 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种二维有机钙钛矿锂离子电池电极及其制备方法。该锂离子电池电极包含二维有机钙钛矿材料或准二维有机钙钛矿材料。该制备方法包括：1)称取二维或准二维钙钛矿材料、导电剂和粘结剂；2)继续称取分散剂溶液，将步骤1)称取的固体分散在该溶液中，以方便之后和成膏状物；3)将步骤2)得到的膏状物进行研磨；4)将研磨得到的浆料涂布在金属箔表面，并烘干；5)将烘干后的金属箔进行压片，即可得到所需的电极片，即锂离子电池电极材料。本发明首次将新型的二维或准二维有机钙钛矿材料应用于锂离子电池，从而在锂电池的应用中提供开放性的结构，有助于锂离子的嵌入和脱嵌，能够提高锂离子电池的性能。
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公开(公告)号：CN112881494A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011237069.8
申请日：2020-11-09
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: G01N27/414
Abstract: 本公开提供了多指标检测用场效应晶体管型生物传感器件，包括：生物传感阵列，包括多排多列场效应晶体管传感器，并且每个晶体管栅介质区域修饰一种及以上识别同种目标的生物探针分子，不同传感器上修饰识别不同目标的生物探针分子；以及多条微流通道。不同微流通道使得不同类型的待测样本溶液同时流经传感器上方，以便通过阵列中不同传感器上固定的不同选择性的生物探针来对多种待检测分子进行检测。根据本公开的生物传感器件，可以在同一器件上实现多种待检测分子的检测，例如可以检测被检测者的新冠病毒感染类别和感染病程时期等，多探针混合修饰还可以提高检测的灵敏度。本公开还提供了其制备方法、生物分子检测方法、及生物分子检测系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110596222A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910871295.2
申请日：2019-09-16
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管场效应晶体管型传感器及其制备方法，所述碳纳米管场效应晶体管型传感器在碳纳米管层背离衬底一侧设置了一层可以均一覆盖所述碳纳米管层的超薄介质层，在工作过程中敏感层吸附目标物质时可以有效地对作为沟道的碳纳米管层产生电学性能的调控，使得敏感层对于沟道的作用更全局平均，有效提升了碳纳米管场效应晶体管型传感器的传感效率，提升了碳纳米管场效应晶体管型传感器的灵敏度。介质层的存在也为敏感层的修饰提供了可以共价键连接的悬挂键，使得敏感层可以通过共价修饰的方式设置于介质层之上，拓展了敏感层的修饰方法且解决了传统的碳纳米管场效应晶体管型传感器的良品率低的问题。
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公开(公告)号：CN104362176B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410522966.1
申请日：2014-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法。该结构利用将漏端偏压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好的抑制漏端少子反向隧穿，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器件高性能的同时增大开关比，并显著抑制双极性。同时，本发明结合两步自对准工艺可将器件尺寸缩减，适合超大规模集成。
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公开(公告)号：CN104261467B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410448913.X
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学
IPC: C01G23/053 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01M4/131 , H01M4/1391 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种独立可剥离的二氧化钛纳米线薄膜及其制备方法和应用，该二氧化钛纳米线薄膜独立可剥离，厚度大概为4?8微米，正反两面由竖直生长的纳米线组成，所述纳米线向两个相反的方向生长。该二氧化钛纳米线薄膜可以制备不需要添加导电剂和粘结剂的锂离子电池负极，同时，本发明提供的制备方法同时实现了基底与薄膜的分离，适合大规模制备二氧化钛纳米线薄膜。
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公开(公告)号：CN104993007A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510358886.1
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1013 , H01L31/022408 , H01L31/0256 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于一维半导体纳米材料的光电颜色传感器及其制备方法。该光电颜色传感器包含至少两个光谱响应特性不同的传感器单元，传感器单元以一维半导体纳米材料作为吸光材料和导电通道；一维半导体纳米材料两端是两个不同种金属材料做成的电极，其中一个金属电极由金、钯等高功函数金属制成，另一个金属电极由钪、钇、镧、铝等低功函数金属制成。所述一维半导体纳米材料优选采用碳纳米管，通过使多壁碳纳米管的外层剥离，剥离程度不同的沟道即有不同的光谱响应，或者采用定位沉积等方法将光谱响应不同的碳纳米管分别沉积在不同单元区域，然后制作电极。本发明可以极大地降低传统材料实现中的串扰，并提高稳定性和光谱响应范围。
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公开(公告)号：CN104332391A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410440311.X
申请日：2014-09-01
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/02 , C01B32/158 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法。本发明采用多次蒸胶烧胶的办法，可以使得胶的开口分布在100～200nm，就可以去除密度大于10根/μm的碳纳米管阵列在金属性碳纳米管阵列，从而得到密度较高，大于10根/μm的全半导体碳纳米管阵列；可以将金属性碳纳米管完全去除，得到纯度100％的半导体碳纳米管阵列；获得的半导体碳纳米管电学性能更好，不需要化学修饰碳纳米管，不会引入缺陷，得到的碳纳米管比较干净，所以迁移率更高(可达2000cm2/Vs)，高密度高迁移率使得晶体管开态电流更大，可以制备高性能碳纳米管集成电路。
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