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公开(公告)号：CN109326714A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810992462.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 北京大学
Inventor： 董立军 , 谢雨农 , 张志勇 , 彭练矛
IPC: H01L51/40 , H01L51/05
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括：在碳纳米管薄膜场效应晶体管的源漏接触电极形成之前，通过含氢等离子体去除碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物，以减小碳纳米管薄膜场效应晶体管的关态电流及亚阈值摆幅。
公开(公告)号：CN109225094B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810992435.7
IPC: B01J19/08 , B01J3/00
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法，包括：在碳纳米管薄膜形成后或在制备基于碳纳米管薄膜的电子器件的过程中，通过含氢等离子体与碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，以去除碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物。
公开(公告)号：CN109225094A
公开(公告)日：2019-01-18
公开(公告)号：CN109326714B
公开(公告)日：2020-06-26
