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公开(公告)号：CN113782674B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010515970.0
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管射频器件，包括：沟道层，沟道层由碳纳米管形成；以及衬底层，沟道层设置在衬底层上，其中，衬底层的与沟道层接触的表面形成有极性基团，碳纳米管至少通过衬底层的表面的极性基团设置在衬底层上。本公开还提供了一种碳纳米管射频器件的制造方法以及一种集成电路系统。
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公开(公告)号：CN110148630A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910327545.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L27/28
Abstract: 本发明提出一种双栅小带隙半导体晶体管及其制备方法，利用将电源电压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好地抑制漏端少子反向隧穿，与此同时电源端的电压将保证在小偏压下漏端依然保持开启状态，减小正向导电势垒，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器件显著抑制双极性的同时保证良好的开态，增大开关比降低功耗的同时保持器件以及电路的高性能，同时保证没有在电路中另外增加其他的工作电源，适合在超大规模集成电路中使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113782674A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010515970.0
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管射频器件，包括：沟道层，沟道层由碳纳米管形成；以及衬底层，沟道层设置在衬底层上，其中，衬底层的与沟道层接触的表面形成有极性基团，碳纳米管至少通过衬底层的表面的极性基团设置在衬底层上。本公开还提供了一种碳纳米管射频器件的制造方法以及一种集成电路系统。
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公开(公告)号：CN104332391A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410440311.X
申请日：2014-09-01
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/02 , C01B32/158 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法。本发明采用多次蒸胶烧胶的办法，可以使得胶的开口分布在100～200nm，就可以去除密度大于10根/μm的碳纳米管阵列在金属性碳纳米管阵列，从而得到密度较高，大于10根/μm的全半导体碳纳米管阵列；可以将金属性碳纳米管完全去除，得到纯度100％的半导体碳纳米管阵列；获得的半导体碳纳米管电学性能更好，不需要化学修饰碳纳米管，不会引入缺陷，得到的碳纳米管比较干净，所以迁移率更高(可达2000cm2/Vs)，高密度高迁移率使得晶体管开态电流更大，可以制备高性能碳纳米管集成电路。
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公开(公告)号：CN110148630B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910327545.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L27/28
Abstract: 本发明提出一种双栅小带隙半导体晶体管及其制备方法，利用将电源电压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好地抑制漏端少子反向隧穿，与此同时电源端的电压将保证在小偏压下漏端依然保持开启状态，减小正向导电势垒，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器件显著抑制双极性的同时保证良好的开态，增大开关比降低功耗的同时保持器件以及电路的高性能，同时保证没有在电路中另外增加其他的工作电源，适合在超大规模集成电路中使用。
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公开(公告)号：CN104332391B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410440311.X
申请日：2014-09-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法。本发明采用多次蒸胶烧胶的办法，可以使得胶的开口分布在100～200nm，就可以去除密度大于10根/μm的碳纳米管阵列在金属性碳纳米管阵列，从而得到密度较高，大于10根/μm的全半导体碳纳米管阵列；可以将金属性碳纳米管完全去除，得到纯度100％的半导体碳纳米管阵列；获得的半导体碳纳米管电学性能更好，不需要化学修饰碳纳米管，不会引入缺陷，得到的碳纳米管比较干净，所以迁移率更高(可达2000cm2/Vs)，高密度高迁移率使得晶体管开态电流更大，可以制备高性能碳纳米管集成电路。
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公开(公告)号：CN103943458A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410119928.1
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02527 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02606 , H01L21/02664
Abstract: 本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，是利用当碳纳米管与金属接触时，半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒，而金属性碳纳米管则不会，故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大，造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属性碳纳米管电流小，基于此，可以采用电流灼烧、微波辅助烧断和热毛细胶法等方法去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管。本发明制备工艺简单，可利用的碳纳米管占据整根碳纳米管比例更高，所获得的半导体碳纳米管整体管径更小，电学性能更好；金属性碳纳米管完全去除，可以得到纯度100%的半导体碳纳米管，所以开关比更大，适合做高速数字电路。
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