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公开(公告)号：CN111180441B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010078237.7
申请日：2016-07-15
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/07 , H01L27/08 , H01L23/495 , H01L23/62 , H01L25/18 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/861
摘要： 本发明涉及包括钳位结构的半导体器件。在半导体器件的实施例中，半导体本体（101）包括钳位结构（102），其包括在第一接触部（C11，C12）和第二接触部（C21，C22）之间背对背串联连接的pn结二极管（103）和肖特基结二极管（104）。pn结二极管（103）的击穿电压（Vbrpn）大于100 V并且肖特基结二极管（104）的击穿电压（Vbrs）大于10V。
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公开(公告)号：CN111180441A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010078237.7
申请日：2016-07-15
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/07 , H01L27/08 , H01L23/495 , H01L23/62 , H01L25/18 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/861
摘要： 本发明涉及包括钳位结构的半导体器件。在半导体器件的实施例中，半导体本体（101）包括钳位结构（102），其包括在第一接触部（C11，C12）和第二接触部（C21，C22）之间背对背串联连接的pn结二极管（103）和肖特基结二极管（104）。pn结二极管（103）的击穿电压（Vbrpn）大于100 V并且肖特基结二极管（104）的击穿电压（Vbrs）大于10V。
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公开(公告)号：CN103151348B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201210518527.4
申请日：2012-12-06
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号： H01L23/62 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/41766 , H01L29/42364 , H01L29/7803 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。
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公开(公告)号：CN102456678B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110320319.9
申请日：2011-10-20
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： H-P.费尔斯尔 , F.J.尼德诺斯泰德 , T.拉克 , H-J.舒尔策
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及IGBT模块和电路。提供了一种IGBT模块。所述IGBT模块具有：至少第一单独IGBT，具有关断所述IGBT模块期间的第一软化度；以及至少第二单独IGBT，并联连接至至少一个第一IGBT。所述至少一个第二单独IGBT具有关断所述IGBT模块期间的第二软化度，所述第二软化度与所述第一软化度不同。还提供了具有并联连接的两个单独IGBT的电路和电子功率器件。
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公开(公告)号：CN103227193A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310038251.4
申请日：2013-01-31
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/70
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0638 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/405 , H01L29/408 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要： 本发明涉及具有边缘终端结构的半导体器件。半导体器件包括含有第一表面、内部区和边缘区的半导体本体、在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区、与第一器件区一起在内部区中形成器件结的第二器件区以及从第一表面延伸到半导体本体中的多个至少两个介电区。在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离。半导体器件进一步包括被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区的电阻层。
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公开(公告)号：CN103151348A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210518527.4
申请日：2012-12-06
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号： H01L23/62 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/41766 , H01L29/42364 , H01L29/7803 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。
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公开(公告)号：CN102856208A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210220378.3
申请日：2012-06-29
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/66712 , H01L29/73 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/872
摘要： 通过在掺杂有n型掺杂剂原子和p型掺杂剂原子的外延半导体材料中蚀刻沟槽以及沿着沟槽的一个或更多侧壁设置第一半导体或绝缘材料制造具有高电压补偿组件的半导体器件。 第一半导体或绝缘材料针对n型掺杂剂原子比p型掺杂剂原子至少具有2倍不同的掺杂剂扩散常数。第二半导体材料沿着第一半导体或绝缘材料设置在沟槽中。第二半导体材料具有与第一半导体或绝缘材料不同的掺杂剂扩散常数。通过第一半导体或绝缘材料从外延半导体材料向第二半导体材料扩散比另一类型的掺杂剂原子更多的n型掺杂剂原子或p型掺杂剂原子，使得在第二半导体材料和外延半导体材料之间出现横向电荷分离。
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公开(公告)号：CN102446706A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110295462.7
申请日：2011-09-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B25/186 , H01L21/02115 , H01L21/02282 , H01L21/02598 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/3212 , H01L21/324 , H01L21/76251 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003
摘要： 本发明涉及具有石墨芯的复合晶片及其制造方法。根据一个实施例，一种复合晶片包括具有石墨层的载体基板以及附着到载体基板的单晶半导体层。
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公开(公告)号：CN102386099A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110252414.X
申请日：2011-08-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/822 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/823487 , H01L29/0626 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/6609 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L29/7813
摘要： 用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件。提供用于形成场效应功率半导体的方法，该方法包括提供半导体本体、与半导体本体的主表面相邻布置的导电区域以及布置在主水平表面上的绝缘层。穿透绝缘层蚀刻窄沟槽以露出导电区域。沉积多晶半导体层且形成垂直多晶二极管结构。多晶半导体层具有窄沟槽的最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度。至少形成垂直多晶二极管结构的一部分的多晶区域通过无掩膜回蚀多晶半导体层在窄沟槽中形成。而且，提供具有沟槽多晶二极管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN113972271A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111221438.9
申请日：2018-03-20
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/62
摘要： 本发明公开了功率半导体器件。一种功率半导体器件包括耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体主体。半导体主体包括：电连接到第一负载端子的第二导电类型的第一掺杂区域；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区域；具有第一导电类型且布置在第一掺杂区域和发射极区域之间的漂移区域。漂移区域和第一掺杂区域使得功率半导体器件能够在以下状态下操作：导通状态，在所述导通状态期间，负载端子之间的负载电流沿正向方向传导；正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间施加在端子之间的正向电压被阻断；以及反向阻断状态，在所述反向阻断状态期间施加在端子之间的反向电压被阻断。半导体主体进一步包括至少被布置在第一掺杂区域内的复合区。
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