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公开(公告)号：CN107078010B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法，该装置包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。本发明的等离子体处理装置能对离子角分布作出更进一步的控制。
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公开(公告)号：CN107078010A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J2237/061 , H01J2237/30472
Abstract: 一种处理装置可包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849869B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201480071087.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 威廉·T·理葳 , 克里斯多夫·J·里维特 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·W·奎夫 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为III族、IV族或V族元素。所要掺杂剂物质可为硼。本发明可用于提高离子植入系统中的离子束质量，具体地为提高硼离子束质量。
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公开(公告)号：CN103250228B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180055640.7
申请日：2011-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 奥利佛·V·那莫佛斯奇
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32688 , H01J2237/03
Abstract: 一种使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法。等离子体流体枪可包括具有一或多个孔的等离子体腔室(118)、能供应至少一种气体物质至等离子体腔室的气体源、设置于等离子体腔室里的单匝线圈(120)、及用来感应耦合射频电功率以激发等离子体腔室中至少一种气体物质以产生等离子体而耦合至线圈的电源。等离子体腔室的内表面可以是不含金属的材料，且等离子体不可暴露于等离子体腔室里任何含金属的组件。等离子体腔室可包括多个用来控制等离子体的磁铁(126)。出口孔(124)可提供于等离子体腔室中以使得产出等离子体的负电荷粒子能参与离子束，其中离子束为相关离子布植系统的部份。在实施例中，磁铁可被设置在孔的相对侧上，且被用于操纵等离子体的电子。
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公开(公告)号：CN103534829A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023609.X
申请日：2012-05-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/165
Abstract: 本发明揭示一种改良的电阻式存储元件的制造方法。电阻式内存包括底电极、顶电极、以及插入于底电极与顶电极之间的电阻材料层。界面形成在电阻材料层与顶电极之间以及电阻材料层与底电极之间。将离子植入元件，以改变所述界面中一者或两者的特性，从而改善存储元件的效能。这些离子可在上述三层制作后植入、在上述三层制作期间植入或在前述两个时间点植入。
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公开(公告)号：CN102484028A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080027722.6
申请日：2010-06-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 威尔汉·P·普拉托 , 奈尔·J·巴森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J49/10 , H01J27/02 , H01J9/38
CPC classification number: H01J49/10 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/30466
Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
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公开(公告)号：CN101341570A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200680047763.5
申请日：2006-12-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 拉塞尔·罗 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 艾利克·R·科步 , 伊桑·亚当·莱特
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明是有关于一种用于提供感应耦合射频电浆浸没枪的技术。在一个特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入系统中的电浆浸没枪。所述电浆浸没枪可包含：具有一或多个孔径的电浆腔室；能够将至少一气态物质供应至所述电浆腔室的气体源；以及能够将射频电功率感应耦合至所述电浆腔室中以激发所述至少一气态物质从而产生电浆的电源。所述电浆腔室的整个内表面可不含金属材料，且所述电浆不可暴露至电浆腔室内的任何含金属组件。另外，所述一或多个孔径可足够宽以用于来自所述电浆的带电粒子的至少一部分流过。
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