公开(公告)号：CN101906638B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010231455.6

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  孙鸣 ,  杨金波 ,  何彦刚

IPC: C23G5/036

Abstract: 本发明涉及一种硅衬底材料抛光后表面清洗方法，其特征是：具体步骤如下，制备清洗液：按重量份数计(份)非离子型表面活性剂0.5-5、FA/OII型螯合剂0.1-5、FA/O II型复合阻蚀剂0.1-5、去离子水余量，搅拌均匀后制备成p H值为6.5-7.6水溶性表面清洗液；使用步骤(1)中得到的清洗液对碱性化学机械抛光后的硅衬底材料在4000Pa以下的低压力、400-5000ml/min的大流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少30秒-3分钟，以使硅衬底材料表面洁净。有益效果：CMP工序中的抛光工艺后立即使用清洗液对硅衬底材料进行低压、大流量清洗，可获得洁净、完美的抛光表面。

公开(公告)号：CN101908502B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010231680.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  牛新环 ,  王辰伟 ,  何彦刚

IPC: H01L21/768 ,  B08B1/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞CMP后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附易清洗物质迅速降低表面张力并阻止反应继续进行(物理吸附状态)、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛液具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。

公开(公告)号：CN102039283A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010232559.9

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  王娟 ,  边娜 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液；使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000mL/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗；使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000mL/min；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000mL/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。

公开(公告)号：CN1789298A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510122180.1

申请日：2005-12-06

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 黎钢 ,  何彦刚 ,  杨超 ,  杨芳 ,  禹雪晴 ,  张广清 ,  任凤霞 ,  崔迎军

IPC: C08F220/56 ,  C08F2/04

Abstract: 一种在盐溶液中沉淀聚合制备阳离子型聚电解质的方法，包括在碳酸钾溶液中制备阳离子型聚电解质的沉淀聚合工艺。聚合物料包括甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、二甲基二烯丙基氯化铵、共聚非离子单体为丙烯酰胺、水、碳酸钾、氧化－还原引发剂，其中阳离子单体所占总单体质量比率为0.01～100％，碳酸钾加入量为20％～53％(质量浓度)。化学引发：包括甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、二甲基二烯丙基氯化铵的均聚以及此两种单体或其中的任意一种与丙烯酰胺的共聚；物理引发：甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵的均聚以及此单体与丙烯酰胺的共聚。在此盐溶液体系中可直接制备颗粒状的聚合物，特别具有干燥耗能低、聚合物含盐量低等优点，可用于纯净态阳离子聚电解质的制备。

公开(公告)号：CN118404423A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410587238.2

申请日：2024-05-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王如 ,  石芸慧 ,  高宝红 ,  何彦刚 ,  杜占杰 ,  陈旭华 ,  朱毓 ,  梁哲 ,  韩晟兴 ,  曾耀

IPC: B24B7/22 ,  B24B55/12 ,  B24B55/06 ,  B24B55/00

Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，具体是一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，包括水箱、打磨仓和加热风机，加热风机顶部固定连接于水箱底部，水箱顶部固定连接于打磨仓底部，打磨仓顶部安装有打磨系统，打磨仓底部安装有放置板，水箱一侧固定连通有循环液压仓，循环液压仓内安装有循环液压升降系统。循环液压升降系统包括升降板、液压升降管和液压缓冲管，液压升降管一端连通于升降板上方，液压缓冲管一端连通于升降板下方，液压升降管和液压缓冲管另一端均连通于水箱内，液压升降管内安装有液压升降泵，液压缓冲管内安装有液压缓冲泵。本发明结构简单，能有效提高晶圆打磨的效率，循环利用水资源。

公开(公告)号：CN110885636B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201911104662.2

申请日：2019-11-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 牛新环 ,  崔雅琪 ,  王治 ,  周佳凯 ,  王如 ,  何彦刚

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石衬底抛光液，下列组分，按重量百分比计，SiO2粒径70～90nm的1～40％硅溶胶20～50％，LiOH0.1～6％，[C15H15‑190(CH2CH2O)5‑H)]、[C20H15‑190(CH2CH2O)5‑H]与[C4OH15‑190(CH2CH2O)5‑H]复合物聚氧乙烯醚、Oπ‑7[(C10H21‑C6H4‑O‑CH2CH2O)7‑H]、Oπ‑10[(C10H21‑C6H4‑O‑CH2CH2O)10‑H]与聚氧乙烯醚其中之一种1～5％与去离子水混合制得的碱性分散液体。本发明蓝宝石衬底抛光液具有去除速率快、蓝宝石衬底表面粗糙度低、成分简单、成本低、污染小的特点。

公开(公告)号：CN110813891B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201911116905.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  杨柳 ,  殷达 ,  何彦刚 ,  王如 ,  孙晓琴 ,  张师浩

IPC: B08B3/08 ,  C11D1/02 ,  C11D1/66 ,  C11D3/00 ,  C11D3/04

Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01‑0.5％，螯合剂0.01‑0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9‑12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1‑3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。

公开(公告)号：CN112175756A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011219974.0

申请日：2020-11-05

Applicant: 河北工业大学 ,  天津晶岭微电子材料有限公司

Inventor： 王辰伟 ,  刘玉岭 ,  罗翀 ,  高宝红 ,  何彦刚 ,  张保国

IPC: C11D1/86 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D3/04 ,  C11D3/16 ,  C11D3/60 ,  C11D11/00 ,  C23G1/24

Abstract: 本发明公开了一种用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液，旨在而提供一种成分简单，能够有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液。按质量百分比计由下述组分组成：螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.1‑15％，消泡剂1％，pH调节剂，去离子水余量；所述清洗液的pH值为7‑7.5；所述表面活性剂由阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂及阴离子表面活性剂复配而成。本发明的清洗液选用阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂复配，通过空间位阻作用，能有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面的大颗粒数及表面残留，从而提高器件的可靠性、电能性等性能，有利于提高器件的成品率。

公开(公告)号：CN110885636A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201911104662.2

申请日：2019-11-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 牛新环 ,  崔雅琪 ,  王治 ,  周佳凯 ,  王如 ,  何彦刚

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石衬底抛光液，下列组分，按重量百分比计，SiO2粒径70～90nm的1～40％硅溶胶20～50％，LiOH0.1～6％，[C15H15-190(CH2CH2O)5-H)]、[C20H15-190(CH2CH2O)5-H]与[C4OH15-190(CH2CH2O)5-H]复合物聚氧乙烯醚、Oπ-7[(C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H]、Oπ-10[(C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H]与聚氧乙烯醚其中之一种1～5％与去离子水混合制得的碱性分散液体。本发明蓝宝石衬底抛光液具有去除速率快、蓝宝石衬底表面粗糙度低、成分简单、成本低、污染小的特点。

公开(公告)号：CN106590530B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201611157145.8

申请日：2016-12-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 何彦刚 ,  周建伟 ,  王如 ,  高宝红

IPC: C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种水溶性高分子包覆异型硅溶胶、制备方法及应用，该异型硅溶胶的原料重量百分比组成为：聚多元醇，0.01‑1wt%，分子量在200‑20000之间；水溶性高分子，0.01‑5wt%，分子量在10000‑500000之间；硅溶胶原料，5‑50wt%；余量为去离子水。该异型硅溶胶的物理结构为不规则异型，且由水溶性高分子包覆构成。采用该硅溶胶制成的抛光液，由于水溶性高分子（聚丙烯酰胺、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸）的加入可在晶片表面形成保护膜，有效降低抛光过程中晶片表面的微缺陷，从而显著降低晶片表面粗糙度，同时能够保证较高的抛光去除速率。