公开(公告)号：CN102039283A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010232559.9

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  王娟 ,  边娜 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液；使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000mL/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗；使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000mL/min；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000mL/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。

公开(公告)号：CN102039283B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201010232559.9

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  王娟 ,  边娜 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液；使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗；使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000ml/min；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。

公开(公告)号：CN101892510A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010231561.4

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  檀柏梅 ,  高宝红 ,  边娜

IPC: C25F1/00

Abstract: 本发明涉及一种去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法，该方法根据硅衬底材料抛光后晶片表面能量高、表面张力大、沾污金属离子严重等现象，提供一种含有螯合剂的电解氧化液进行清洗的方法。当碱性抛光刚完成后，使用该清洗液清洗硅片，可使金属离子形成可溶的螯合物；采用FA/OII螯合剂和金刚石膜电化学清洗相结合的方法，利用金属离子在阴极表面放电，使残余金属离子得以去除，清洗抛光后的硅晶片，可实现硅衬底材料表面的高洁净及完美的抛光表面。该方法具有操作简单、效果显著、成本低、不污染环境及不腐蚀设备等优点；可明显改善器件性能，提高成品率。