-
公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
-
公开(公告)号：CN105140155B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
-
公开(公告)号：CN106847887A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710026314.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/42376 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
-
公开(公告)号：CN104637941B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
-
公开(公告)号：CN104986725A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510414119.8
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种周期性碗状结构模板及其制备方法，包括：在基底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性微纳米光刻胶点阵图形，在光刻胶结构上沉积一层金属薄膜，经过剥离后得到金属孔阵图形，再以金属孔阵结构为掩膜，采用湿法腐蚀技术形成二氧化硅的碗状阵列结构，最后除去金属掩膜。本发明制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104966673A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510393302.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/321 , H01L21/314
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法。该方法包括对衬底表面进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，所述对衬底进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N2等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N2等离子体对衬底表面进行N2等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N2等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。采用该方法可以有效钝化边界缺陷及Al2O3/InP界面的界面缺陷，还可以降低栅漏电流。
-
公开(公告)号：CN104617019A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L22/12 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
-
公开(公告)号：CN119644616A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411886792.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
-
公开(公告)号：CN117497593A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311460353.5
申请日：2023-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本发明利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。
-
公开(公告)号：CN117276316A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311429491.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种褶皱环栅SOI LDMOS器件，利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构，这样的褶皱环栅结构显著增加了SOI LDMOS器件沟道的有效长度以及宽度，缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾，在耐压的前提下，有效地降低了器件的导通电阻，提高整体导通性能，同时能够增加电流通量，并提供更好的热传导和散热能力，对于器件性能的改善具有重要意义。此外，该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容，在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOI LDMOS器件在工艺上的挑战，适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
153
records
(took 0.068 seconds)
