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公开(公告)号：CN105070656A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510414120.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32477
Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用液态蜡替代传统的高温蜡，既不会产生互溶问题，还具备优良的粘附性，并解决由于等离子体轰击而溅射的高温蜡和金属污染等离子体刻蚀机腔体内壁的问题。
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公开(公告)号：CN105070656B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510414120.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用液态蜡替代传统的高温蜡，既不会产生互溶问题，还具备优良的粘附性，并解决由于等离子体轰击而溅射的高温蜡和金属污染等离子体刻蚀机腔体内壁的问题。
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公开(公告)号：CN105161398A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394642.9
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(111)衬底重复双氧水浸泡—去离子水清洗—盐酸浸泡—去离子水清洗步骤至少1次。本发明先用双氧水牺牲氧化GaAs(111)表面，得到规整的自然氧化层；再用盐酸腐蚀，由于GaAs表面的自然氧化层是规整的，因而可以有效去除表面质量不好的GaAs缺陷，使GaAs表面氧化物数量和粗糙度都大幅下降。采用该清洗方法配合硫化铵溶液钝化，可长时间的阻挡空气中氧气对洁净GaAs(111)表面的氧化。
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公开(公告)号：CN105140155A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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公开(公告)号：CN105018025A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510412159.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09J191/06
Abstract: 本发明公开了一种GaAs MMIC减薄工艺中粘片用的液态蜡，它是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明用Crystalbond 509强力粘合剂溶于丙酮中所得的液态蜡代替传统粘片工艺中使用的高温蜡，在液态蜡和光刻胶接触部分不会产生互溶问题，避免了因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，分离时只需要采用丙酮溶液浸泡即可，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，本发明所述液态蜡具有极强的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140155B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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公开(公告)号：CN104091827B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410283229.0
申请日：2014-06-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。
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公开(公告)号：CN104966673A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510393302.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/321 , H01L21/314
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法。该方法包括对衬底表面进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，所述对衬底进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N2等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N2等离子体对衬底表面进行N2等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N2等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。采用该方法可以有效钝化边界缺陷及Al2O3/InP界面的界面缺陷，还可以降低栅漏电流。
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公开(公告)号：CN104091827A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410283229.0
申请日：2014-06-23
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L29/517 , H01L29/66522
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件及制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。
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公开(公告)号：CN203910812U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420336813.3
申请日：2014-06-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本实用新型具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。
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