公开(公告)号：CN110112220A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910452653.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/477 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN104205296A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380002360.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。

公开(公告)号：CN117751435A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280053287.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的含有锗氧化物的氧化物半导体。得到一种氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×1018/cm3以上，所述氧化物半导体是使用氧化物半导体的形成方法含有锗氧化物的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体的形成方法的特征在于，将含有掺杂元素的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到所述基体上，接着使所述雾化液滴在所述基体上进行热反应。

公开(公告)号：CN117730402A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280053311.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种异常晶粒得到降低且具有良好的结晶性的结晶性氧化物膜。得到一种结晶性氧化物膜，将含有锗的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到具有正方晶晶体结构的结晶基板上，接着使所述雾化液滴在所述结晶基板上进行热反应，从而含有锗氧化物，其中，通过表面SEM观察确认到的异常晶粒的面积比例为3％以下。

公开(公告)号：CN109417037B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有良好的p‑型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p‑型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN110870079B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201880045648.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勲 ,  神原仁志 ,  四戸孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。

公开(公告)号：CN115101587A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210758521.8

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN110952077B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201911347903.6

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/18

Abstract: 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN107068773B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201611159323.0

申请日：2016-12-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  德田梨绘 ,  神原仁志 ,  河原克明 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN110797396A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911118223.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L27/098 ,  H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。