公开(公告)号：CN109417037B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有良好的p‑型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p‑型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN109417036B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040522.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  谷川幸登

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有优异的导电性的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。通过使包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的原料溶液雾化产生喷雾的雾化步骤；利用载气将喷雾运载至基材表面附近的运载步骤；以及在氧气气氛下使基材表面附近的喷雾发生热反应的过程，在该基材上形成p‑型氧化物半导体，其具有包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的金属氧化物作为主要组分。