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公开(公告)号：CN107508558B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710343985.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种维持可靠性并提高功率附加效率的功率放大电路。功率放大电路包括：基极输入有无线频率信号的第1晶体管；输出与电源电压相对应的第1电压的第1电压输出电路；以及基极或栅极被提供有第1电压、发射极或源极连接至第1晶体管的集电极、并从集电极或漏极输出对无线频率信号进行放大后而得的第1放大信号的第2晶体管。
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公开(公告)号：CN111799244A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010258515.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/528 , H01L23/538
Abstract: 提供能够抑制在半导体基板、保护膜产生的裂缝的进展的半导体芯片。半导体芯片具备：化合物半导体基板，其具有一对主面以及设置在该一对主面之间的侧面；电路，其设置在一对主面中的一个主面上；多个第一金属，它们设置在一个主面上；以及多个第二金属，它们设置在一个主面上，多个第一金属在一个主面的俯视时，与电路相比在一个主面的外缘侧配置为环状，且在相互相邻的第一金属之间形成缝隙并包围电路，多个第二金属在一个主面的俯视时，配置在电路与多个第一金属之间或者与多个第一金属相比配置在外缘侧，多个第二金属的各个在化合物半导体基板的侧面的俯视时，配置为至少一部分与第一金属之间的缝隙重合。
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公开(公告)号：CN110492853A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910382629.X
申请日：2019-05-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的功率放大器能够抑制噪声。功率放大器具备分别包含晶体管的多级功率放大电路。第一级的功率放大电路包含第一阻抗电路，该第一阻抗电路设置在晶体管的发射极与基准电位之间，具有不根据频率而变化的阻抗或根据频率而变化的阻抗。第二级的功率放大电路包含第二阻抗电路，该第二阻抗电路设置在晶体管的发射极与基准电位之间，具有不根据频率而变化的阻抗或根据频率而变化的阻抗。
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公开(公告)号：CN109039289A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810486299.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/302 , H01L27/0772 , H01L29/41708 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H03F1/0205 , H03F1/0277 , H03F1/30 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/21 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F3/4508 , H03F2203/45031
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107316861A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710239749.5
申请日：2017-04-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种能降低多个单位晶体管间的温度偏差的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板；以及晶体管组，该晶体管组包含至少1列晶体管列，该至少1列晶体管列在半导体基板上，沿第1方向排列配置有多个单位晶体管，至少1列晶体管列中的第1晶体管列包含：第1一组单位晶体管，该第1一组单位晶体管由以第1间隔相邻的2个单位晶体管构成；以及第2一组单位晶体管，该第2一组单位晶体管由以第2间隔相邻的2个单位晶体管构成，第1一组单位晶体管与第2一组单位晶体管相比，其形成在接近第1晶体管列在第1方向上的中心的位置，且第1间隔比第2间隔宽。
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公开(公告)号：CN119582774A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411234000.8
申请日：2024-09-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明实现一种能够扩大工作温度范围的下限值的半导体器件以及功率放大模块。半导体器件具有将在一个方向上排列的多个晶体管并联地电连接的第1半导体元件(1)、以及设置在晶体管的排列方向上的第1半导体元件(1)的两端部的第2半导体元件。环境温度越低，流过第2半导体元件的电流相对地越增加。
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公开(公告)号：CN112310074B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010757022.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供缓和热应力且可靠性较高的半导体装置。在基板之上配置有至少一个单位晶体管。在至少一个单位晶体管之上配置有成为流向各个单位晶体管的电流的路径的第一布线。在第一布线之上配置有无机绝缘膜。在无机绝缘膜设置有在俯视时与第一布线的一部分区域重叠的至少一个第一开口。在无机绝缘膜之上配置有有机绝缘膜。在有机绝缘膜以及无机绝缘膜之上配置有通过第一开口与第一布线连接的第二布线。在俯视时，在配置有第一布线的区域的外侧，设置有未配置有机绝缘膜的区域，在配置有第一布线的区域的外侧，第二布线与无机绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN111799244B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010258515.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/528 , H01L23/538
Abstract: 提供能够抑制在半导体基板、保护膜产生的裂缝的进展的半导体芯片。半导体芯片具备：化合物半导体基板，其具有一对主面以及设置在该一对主面之间的侧面；电路，其设置在一对主面中的一个主面上；多个第一金属，它们设置在一个主面上；以及多个第二金属，它们设置在一个主面上，多个第一金属在一个主面的俯视时，与电路相比在一个主面的外缘侧配置为环状，且在相互相邻的第一金属之间形成缝隙并包围电路，多个第二金属在一个主面的俯视时，配置在电路与多个第一金属之间或者与多个第一金属相比配置在外缘侧，多个第二金属的各个在化合物半导体基板的侧面的俯视时，配置为至少一部分与第一金属之间的缝隙重合。
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