公开(公告)号：CN119582774A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411234000.8

申请日：2024-09-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 上谷昌稔 ,  播磨史生 ,  祐森义明 ,  中野裕贵

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/20

Abstract: 本发明实现一种能够扩大工作温度范围的下限值的半导体器件以及功率放大模块。半导体器件具有将在一个方向上排列的多个晶体管并联地电连接的第1半导体元件(1)、以及设置在晶体管的排列方向上的第1半导体元件(1)的两端部的第2半导体元件。环境温度越低，流过第2半导体元件的电流相对地越增加。

公开(公告)号：CN118830195A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380026028.X

申请日：2023-02-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 田原健二 ,  中野裕贵 ,  山本佳依

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/24

Abstract: 高频模块(1)具备载波放大器(11)、峰值放大器(12及20)、变压器(30)、移相线路(40)以及偏置电路(51及52)，上述各放大器包括在半导体IC(80)中，在半导体IC(80)配置有输入端子(110A、110B)和输出端子(111、112)，载波放大器(11)及峰值放大器(12)的输入端与输入端子(110A)连接，载波放大器(11)及峰值放大器(12)的输出端与输出端子(111)连接，峰值放大器(20)的输入端与输入端子(110B)连接，峰值放大器(20)的输出端与输出端子(112)连接，变压器(30)的一端与输出端子(111)连接，变压器(30)的另一端经由移相线路(40)来与输出端子(112)连接，偏置电路(51)与载波放大器(11)连接，偏置电路(52)与峰值放大器(12及20)连接。