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公开(公告)号：CN112310074A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010757022.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供缓和热应力且可靠性较高的半导体装置。在基板之上配置有至少一个单位晶体管。在至少一个单位晶体管之上配置有成为流向各个单位晶体管的电流的路径的第一布线。在第一布线之上配置有无机绝缘膜。在无机绝缘膜设置有在俯视时与第一布线的一部分区域重叠的至少一个第一开口。在无机绝缘膜之上配置有有机绝缘膜。在有机绝缘膜以及无机绝缘膜之上配置有通过第一开口与第一布线连接的第二布线。在俯视时，在配置有第一布线的区域的外侧，设置有未配置有机绝缘膜的区域，在配置有第一布线的区域的外侧，第二布线与无机绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN112310074B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010757022.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供缓和热应力且可靠性较高的半导体装置。在基板之上配置有至少一个单位晶体管。在至少一个单位晶体管之上配置有成为流向各个单位晶体管的电流的路径的第一布线。在第一布线之上配置有无机绝缘膜。在无机绝缘膜设置有在俯视时与第一布线的一部分区域重叠的至少一个第一开口。在无机绝缘膜之上配置有有机绝缘膜。在有机绝缘膜以及无机绝缘膜之上配置有通过第一开口与第一布线连接的第二布线。在俯视时，在配置有第一布线的区域的外侧，设置有未配置有机绝缘膜的区域，在配置有第一布线的区域的外侧，第二布线与无机绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN114696864B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111516426.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。包含高频放大电路的半导体装置以及频带选择开关安装于模块基板。输出匹配电路包含设置于模块基板的至少一个无源元件，并连接在高频放大电路与频带选择开关之间。半导体装置包含：第一部件，包含元素半导体系的半导体部分；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，输出匹配电路配置在频带选择开关的附近。
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公开(公告)号：CN113572439B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110456672.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够在宽频带中高效地供给RF信号并且抑制电路规模的增大。功率放大电路具备：第1放大电路，对第1频带的第1信号进行放大，并输出具有第1功率的第1放大信号；第2放大电路，对所述第1频带或者与所述第1频带不同的第2频带的第2信号进行放大，并输出具有与所述第1功率不同的第2功率的第2放大信号；和第1可变调整电路，设置在所述第2放大电路与所述第2放大电路的后级的第1电路之间，构成为能够调整从所述第2放大电路对所述第1电路进行了观察时的第1阻抗。
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公开(公告)号：CN117099211A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280023936.9
申请日：2022-02-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737
Abstract: 在基板上沿第一方向排列配置有多个单元。多个单元分别包含：双极晶体管；在俯视时包含于双极晶体管的基极层的发射极电极；以及基极电极。多个单元的双极晶体管相互并联地连接。多个单元中的位于两端的第一单元以外的至少一个第二单元的耐破坏性比第一单元的耐破坏性高。提供一种并不局限于面朝上安装而在倒装芯片安装的情况下也能够抑制耐破坏性的降低的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116508147A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180073723.2
申请日：2021-11-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电子电路；第二基材(20)，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子(150)，其配置于主面(80b)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a及80b)中的主面(80b)一侧，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，第二基材(20)与第一基材(10)接合，第二基材经由电极(23)来与主面(80b)连接。
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公开(公告)号：CN116490968A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079271.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/12
Abstract: 高频模块(1)具备：第一基材(71)，其由第一半导体材料构成；第二基材(72)，其由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；第三基材(73)，在第三基材(73)形成有发送滤波器电路(61T和/或62T)；以及模块基板(90)，其具有配置有第一基材(71)、第二基材(72)以及第三基材(73)的主面(90a)，其中，第一基材(71)经由电极(717)来与主面(90a)接合，在截面视图中，第二基材(72)配置于模块基板(90)与第一基材(71)之间，且经由电极(724)来与主面(90a)接合，在俯视视图中，第一基材(71)的至少一部分与第二基材(72)的至少一部分及第三基材(73)的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN114649307A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111552529.0
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/552 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供能够采用层叠结构并且能够抑制高频干扰的半导体装置。在第一部件形成包括半导体元件的第一电子电路。在第一部件的第一面的一部分区域接合第二部件。第二部件包括第二电子电路，该第二电子电路包括由与第一电子电路的半导体元件不同的半导体材料构成的半导体元件。层间绝缘膜覆盖第一部件的第一面中的不与第二部件接合的区域、以及第二部件。配置在层间绝缘膜之上的部件间连接布线通过设置于层间绝缘膜的开口将第一电子电路与第二电子电路连接。包括配置在层间绝缘膜之上的第一金属图案的屏蔽结构在高频率方面屏蔽作为第一电子电路的一部分的被屏蔽电路。
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公开(公告)号：CN114300426A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111159512.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供半导体装置。第一部件包括由单体半导体系的半导体元件构成一部分的第一电子电路。在第一部件设置有第一导体突起。第二部件与第一部件接合。第二部件在俯视时比第一部件小，包括由化合物半导体系的半导体元件构成一部分的第二电子电路。在第二部件设置有第二导体突起。功率放大器包括前级放大电路和后级放大电路。第二电子电路包括后级放大电路。第一电子电路及第二电子电路中的一方包括前级放大电路。第一电子电路包括使输入到从多个接点中选择的一个接点的高频信号输入到前级放大电路的第一开关、控制前级放大电路及后级放大电路的动作的控制电路、使从后级放大电路输出的高频信号从自多个接点中选择的一个接点输出的第二开关。
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公开(公告)号：CN112087203A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010539871.6
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，是在通过差分放大器结构将功率放大的功率放大电路中高效率的功率放大电路。功率放大电路(10)具备功率分配器(101)、从输出端子(2011)输出放大信号(RF3)的放大器(201)、以及从输出端子(2021)输出放大信号(RF4)的放大器(202)。此外，功率放大电路(10)具备连接在输出端子(2011)与输出端子(2012)之间的终止电路(301)、传输线路(401)、传输线路(402)、连接在传输线路(401)的另一端与传输线路(402)的另一端之间的终止电路(501)、以及功率合成器(601)。
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