公开(公告)号：CN104769150A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380058422.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  C01B13/14 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN103229304A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057486.7

申请日：2011-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  丸山哲纪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0259 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 通过对将氧化物半导体膜用作沟道的晶体管给予稳定的电特性来制造高可靠性半导体装置。形成可通过热处理具有第一晶体结构的氧化物半导体膜及可通过热处理具有第二晶体结构的氧化物半导体膜而加以层叠，并接着进行热处理，由此通过将具有第二晶体结构的氧化物半导体膜作为晶种而发生晶体生长，以形成具有第一晶体结构的氧化物半导体膜。以此方式形成的氧化物半导体膜应用于晶体管的有源层。

公开(公告)号：CN102903758A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210283668.2

申请日：2010-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102891182A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210252613.5

申请日：2012-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  本田达也 ,  波多野刚久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置，提供一种实现常截止的开关元件的晶体管结构及其制造方法。提供一种提高晶体管的导通特性而实现半导体装置的高速响应、高速驱动的结构及其制造方法。提供一种可靠性高的半导体装置。在按顺序层叠有半导体层、源电极层或漏电极层、栅绝缘膜及栅电极层的晶体管中，作为该半导体层使用至少包含铟、镓、锌及氧这四种元素，在由原子百分率表示所述四种元素的组成比时，铟的比例是镓的比例及锌的比例的两倍以上的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102598278A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080045729.0

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治 ,  中村康男 ,  菅尾惇平 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。

公开(公告)号：CN101030621B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200710087629.4

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明揭示一种发光器件及电子设备，其目的在于提高电致发光元件等发光元件的光取出效率。在衬底100上方形成第一电极101、发光层102、第二电极103，来一部分构成发光元件。将在发光层102发出的光从第二电极103取出。与第二电极103的表面接触地提供多个立体的物体104。通过提供物体104，在第二电极103和空气之间被全反射的光入射于物体104，而可以将光从物体104所具有的不平行于物体和第二电极103的界面的侧面发出。

公开(公告)号：CN101740637A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226491.0

申请日：2009-11-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  坂田淳一郎 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28158 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层。在所述半导体装置中，In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m＞0)表示的非晶结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。

公开(公告)号：CN101030621A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710087629.4

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明揭示一种发光器件及电子设备，其目的在于提高电致发光元件等发光元件的光取出效率。在衬底100上方形成第一电极101、发光层102、第二电极103，来一部分构成发光元件。将在发光层102发出的光从第二电极103取出。与第二电极103的表面接触地提供多个立体的物体104。通过提供物体104，在第二电极103和空气之间被全反射的光入射于物体104，而可以将光从物体104所具有的不平行于物体和第二电极103的界面的侧面发出。

公开(公告)号：CN1476048A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN119330418A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411475164.X

申请日：2020-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门马洋平 ,  落合辉明 ,  三上真弓 ,  斉藤丞 ,  高桥正弘

IPC: C01G53/42 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  C01G51/42

Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物；以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是，氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。