公开(公告)号：CN100377292C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN100370491C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200380105306.3

申请日：2003-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  宫城德子

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: 在发光装置中，最好发光元件的下部的膜表面具有平坦性。因此，在成膜后对于膜实施使膜平坦化等的处理。在本发明中，提出一种能够容易地进行上述平坦化的发光装置的结构。在第1膜上以与布线相同的层，制作第2膜。由此，在布线形成时，对第1膜中位于发光元件下部的部分进行蚀刻，能够防止在第1膜表面上形成凹凸。通过设置第2膜，第3膜的表面高度升高，从而能够实现局部的平坦化。

公开(公告)号：CN1723482A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200380105306.3

申请日：2003-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  宫城德子

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: 在发光装置中，最好发光元件的下部的膜表面具有平坦性。因此，在成膜后对于膜实施使膜平坦化等的处理。在本发明中，提出一种能够容易地进行上述平坦化的发光装置的结构。在第1膜上以与布线相同的层，制作第2膜。由此，在布线形成时，对第1膜中位于发光元件下部的部分进行蚀刻，能够防止在第1膜表面上形成凹凸。通过设置第2膜，第3膜的表面高度升高，从而能够实现局部的平坦化。

公开(公告)号：CN1476048A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。