公开(公告)号：CN1732719A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107560.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  石垣步 ,  斋藤惠子

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5206 ,  H05B33/10

Abstract: 一种显示装置的制造方法，可以抑制发光元件中的皱缩和发光不均匀等的缺陷模式，且缩短包含有机化合物的层(EL层)的前处理必需的时间。本发明的特征在于，通过形成与上述源区或漏区电连接的上述第1电极，形成上述绝缘膜以覆盖上述第1电极的端部，对上述第1电极和上述绝缘膜在包含氩气和氧气的气氛中进行等离子处理之后，在上述第1电极和上述绝缘膜上形成包含有机化合物的层，在包含有机化合物的层上形成第2电极，从而形成发光元件。

公开(公告)号：CN100377292C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN1476048A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN100484350C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200380107560.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  石垣步 ,  斋藤惠子

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5206 ,  H05B33/10

Abstract: 一种显示装置的制造方法，可以抑制发光元件中的皱缩和发光不均匀等的缺陷模式，且缩短包含有机化合物的层(EL层)的前处理必需的时间。本发明的特征在于，通过形成与上述源区或漏区电连接的上述第1电极，形成上述绝缘膜以覆盖上述第1电极的端部，对上述第1电极和上述绝缘膜在包含氩气和氧气的气氛中进行等离子处理之后，在上述第1电极和上述绝缘膜上形成包含有机化合物的层，在包含有机化合物的层上形成第2电极，从而形成发光元件。