公开(公告)号：CN102891182B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201210252613.5

申请日：2012-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  本田达也 ,  波多野刚久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置，提供一种实现常截止的开关元件的晶体管结构及其制造方法。提供一种提高晶体管的导通特性而实现半导体装置的高速响应、高速驱动的结构及其制造方法。提供一种可靠性高的半导体装置。在按顺序层叠有半导体层、源电极层或漏电极层、栅绝缘膜及栅电极层的晶体管中，作为该半导体层使用至少包含铟、镓、锌及氧这四种元素，在由原子百分率表示所述四种元素的组成比时，铟的比例是镓的比例及锌的比例的两倍以上的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102891182A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210252613.5

申请日：2012-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  本田达也 ,  波多野刚久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置，提供一种实现常截止的开关元件的晶体管结构及其制造方法。提供一种提高晶体管的导通特性而实现半导体装置的高速响应、高速驱动的结构及其制造方法。提供一种可靠性高的半导体装置。在按顺序层叠有半导体层、源电极层或漏电极层、栅绝缘膜及栅电极层的晶体管中，作为该半导体层使用至少包含铟、镓、锌及氧这四种元素，在由原子百分率表示所述四种元素的组成比时，铟的比例是镓的比例及锌的比例的两倍以上的氧化物半导体层。