公开(公告)号：CN1945856A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610159801.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN1917232A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610103002.9

申请日：2000-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高山彻 ,  浜谷敏次

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。

公开(公告)号：CN1741257A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510091919.7

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。

公开(公告)号：CN1739129A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200380108666.9

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/14 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种简化剥离工序、而且对于大型基板均匀进行剥离、转印的方法。本发明的特征在于：同时进行剥离工序中的第1粘接剂的剥离和第2粘接剂的硬化，简化制造工序。另外，本发明的特征在于：深入研究将至半导体元件的电极形成后的被剥离层转印到规定基板上的时刻。本发明的特征在于：特别地，在大型基板上已形成多个半导体元件的状态下进行剥离时，利用压力差，吸附基板，进行剥离。

公开(公告)号：CN1237630C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02104784.7

申请日：2002-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  丸山纯矢 ,  小仓庆一 ,  高山彻

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一可靠性高的发光器件，其中有机发光器件不因氧化、潮湿等而退化。该有机发光器件在真空中用包装膜(105)压合，该包装膜被一个含有Ar的DLC膜覆盖(或者一个氮化硅膜、一个AlN膜、一个表示为ALNxOy的化合物组成的膜)(106)。有机发光器件如此与外界完全隔离，可在整个有机发光器件上有效地防止加速有机发光器件老化的潮湿、氧化或者其它外部物质。

公开(公告)号：CN1708853A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102641.8

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L23/291 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/982 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是：提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法，其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离，还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外，本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是，提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是：在基板上设置金属层11，再接在上述金属层11上设置氧化物层12，进而形成被剥离层13，如果以激光照射上述金属层11从而进行氧化形成金属氧化层16，就能够以物理手段在金属氧化物层16的层内或者金属氧化物层16和氧化物层12的界面上进行很好的分离。

公开(公告)号：CN1208807C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN98118382.4

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  宫永昭治 ,  高山彻 ,  大谷久 ,  竹村保彦 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1619772A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410100105.0

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。

公开(公告)号：CN1599030A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410069654.6

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1527116A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410008004.0

申请日：2004-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F2001/13415

Abstract: 在使用塑料衬底的液晶显示器件中，随着屏幕尺寸的不断加大，人们对实现高清晰度、高孔径效率、和高可靠性有了更强烈的需求。与此同时，对提高生产率以及降低成本也有了更高的要求。针对这样的要求，本发明提出了一个方案，即，在对面衬底(柔性衬底)上提供保护膜123，其中所述保护膜至少具有一层用以硅制成的靶通过高频率溅射法形成的氮化硅膜，并在对面衬底上涂画密封材料112，在真空下向对面衬底滴注液晶材料114后，粘贴其上提供有像素电极111以及圆柱状隔离物115的柔性衬底110。