公开(公告)号：CN1741257A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510091919.7

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。

公开(公告)号：CN1111902C

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN93121131.X

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  崔葆春 ,  A·村上 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1302560C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN99107129.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  山本睦夫 ,  崔葆春

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1058585C

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN94112813.X

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1239835A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN99107129.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  山本睦夫 ,  崔葆春

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500A，例如在100—750A之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN100437945C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510091919.7

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。

公开(公告)号：CN100359633C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN00104111.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFT)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1282252C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN03104196.5

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1215223A

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN98116320.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦 ,  高山彻 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触,或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜,使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT,从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN1516281A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03104195.7

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。