公开(公告)号：CN107980178B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201680048760.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  浜田崇 ,  下村明久 ,  冈本悟 ,  栃林克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/4763 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/465

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。

公开(公告)号：CN112385020A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980026751.1

申请日：2019-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  高桥绘里香 ,  栃林克明 ,  荒泽亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种特性波动、元件劣化、形状异常得到抑制的半导体装置。该半导体装置包括含有多个元件的第一区域、含有多个伪元件的第二区域，第二区域设置在第一区域的边缘部，并且元件和伪元件都包含氧化物半导体。元件和伪元件具有同一结构，元件所含有的结构体和伪元件所含有的结构体由同一材料构成并配置在同一层中。此外，氧化物半导体包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。

公开(公告)号：CN103681805B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201310419349.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  津吹将志

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。

公开(公告)号：CN103779422B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201310486336.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  田中哲弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种抑制氧化物半导体层中的氧缺陷的增加的半导体装置。此外，提供一种电特性良好的半导体装置。此外，提供一种可靠性高的半导体装置。在其沟道形成区域包括氧化物半导体层的半导体装置中，使用以与氧化物半导体层的下侧接触的方式设置的氧化物绝缘膜和以与氧化物半导体层的上侧接触的方式设置的栅极绝缘膜，将该氧化物绝缘膜或该栅极绝缘膜中的氧供应到氧化物半导体层中。此外，通过作为用于源电极层及漏电极层的金属膜使用导电氮化物，抑制氧扩散到该金属膜。

公开(公告)号：CN103872141B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410112160.5

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层；与所述栅电极层重叠的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅极绝缘层；以及在所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，且其中，所述氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶。

公开(公告)号：CN102117837B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010624629.5

申请日：2010-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  田所麻美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。

公开(公告)号：CN102148257B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201010620965.2

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  石塚章广 ,  古川忍 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施例是一种薄膜晶体管，它包括：栅电极层；栅绝缘层，设置成使得覆盖栅电极层；第一半导体层，与栅电极层完全重叠；第二半导体层，设置在第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比第一半导体层更低的载流子迁移率；杂质半导体层，设置成与第二半导体层接触；侧壁绝缘层，设置成使得覆盖第一半导体层的至少侧壁；以及源和漏电极层，设置成至少与杂质半导体层接触。第二半导体层可由在第一半导体层之上相互分开的部分组成。

公开(公告)号：CN103779426A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410046438.3

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  三上真弓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：CN102136500A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110044658.9

申请日：2009-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

公开(公告)号：CN101728276A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207024.3

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G03F1/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层对氧化物半导体膜以及导电膜进行蚀刻。作为蚀刻工序，采用使用蚀刻气体的干蚀刻。