-
公开(公告)号：CN101110437A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710142234.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
-
公开(公告)号：CN100355013C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN00126319.6
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
-
公开(公告)号：CN100342551C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102284.7
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
-
公开(公告)号：CN1979877A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610095901.9
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G03B21/00
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
-
公开(公告)号：CN1855399A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610079300.9
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1248 , H01L27/1255
Abstract: 为了制造出高度可靠和小型的TFT，本发明的一个目的是提供一种制造形成具有高度可靠性的栅电极、源极布线和漏极布线的半导体器件的方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，在具有绝缘表面的基板上形成半导体膜，在半导体膜上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅电极，并通过使用高密度等离子体使栅电极表面氮化，在栅电极的表面上形成氮化膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1697179A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510067389.2
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
-
公开(公告)号：CN1163968C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00128864.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。
-
公开(公告)号：CN1290039A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00128864.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件,它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs),同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上,以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而,由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免,由此可获得满意的显示图像。
-
公开(公告)号：CN111033438B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880054259.0
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种功耗小的运算装置及电子设备。提供一种能够进行高速工作的运算装置及电子设备。提供一种能够抑制发热的运算装置及电子设备。上述运算装置包括第一运算部及第二运算部。第一运算部包括第一CPU核心及第二CPU核心。第二运算部包括第一GPU核心及第二GPU核心。CPU核心具有进行电源门控的功能且包括连接于触发器的第一数据保持电路。第一GPU核心保持模拟值且包括能够作为2位以上的数字数据读出的第二数据保持电路。第二GPU核心保持数字值且包括能够作为1位数字数据读出的第三数据保持电路。第一至第三数据保持电路分别具有包括氧化物半导体的晶体管及电容器。
-
公开(公告)号：CN107424927B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710291791.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.033 seconds)
